公开(公告)号：CN119546031A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411680174.7

申请日：2024-11-22

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 邓辉 ,  冯信信 ,  程树英

IPC: H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/30 ,  H10K71/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种银纳米线掺杂硫化锑薄膜提升太阳电池开路电压的方法，其中，吸收层为银纳米线掺杂的硫化锑薄膜，采用水热法制备。在水热沉积硫化锑薄膜过程中加入银纳米线，实现银纳米线调控离子反应，在退火结晶过程中实现硫化锑薄膜结晶和银掺杂。本发明开发出新的掺杂剂应用于硫化锑薄膜，能够适配水热沉积工艺，高温结晶过程下银纳米线发生熔融扩散，改善了硫化锑薄膜的结晶性；通过银纳米线的桥键作用实现CdS/Sb2S3异质结界面紧密接触，太阳电池开路电压得到明显的提升。银纳米线掺杂硫化锑太阳电池开路电压提升了40 mV以上，最高开路电压达到了805 mV。本发明方法材料新颖、操作简单，具有较大的应用价值和潜力。