公开(公告)号：CN111554754A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010439637.6

申请日：2020-05-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 王星辉 ,  李王阳 ,  程树英 ,  邓辉 ,  贾宏杰

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01M4/58 ,  H01M4/66 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及一种硫化锑薄膜的快速制备方法，在真空腔室中，将衬底置于表层导热性能良好的基片架上，衬底的金属表面朝向下侧，将均布有硫化锑粉末的基底，即蒸发源置于基片架下侧，衬底与蒸发源之间距离为10~20 mm；通过温度控制进行硫化锑粉末蒸发和沉积，直接在所述衬底的金属表面上生长得到硫化锑薄膜，硫化锑薄膜生长速度大于1.2μm/min。该方法有利于快速、高效地制备得到高质量的硫化锑薄膜。

公开(公告)号：CN111554872A

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN202010439935.5

申请日：2020-05-22

Applicant: 福州大学

Inventor： 王星辉 ,  李王阳 ,  程树英 ,  邓俐颖 ,  张红

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种锂离子电池自支撑硒化锑负极及其制备方法，该负极包括柔性集流体和直接生长于所述集流体表面的负极材料，所述柔性集流体为柔性金属箔，所述负极材料为具有微米片或微米柱结构的硒化锑。该制备方法为：在真空腔室内，将金属箔作为衬底，将硒化锑粉末均匀撒布于金属箔下侧的基底上作为蒸发源，控制两者之间距离为10~30 mm；控制真空腔室内衬底与蒸发源的温差使硒化锑在金属箔上快速沉积，温差为290~475℃，沉积时间为150~250 s，沉积完成后快速冷却得到自支撑硒化锑负极。该负极及其制备方法工艺简单，性能好，成本低，易于实现。