-
公开(公告)号：CN107910390B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711143332.5
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。通过Ag掺杂可以改善薄膜的质量，有效提高器件的开路电压、填充因子、光电转换效率以及有效改善带尾态现象，实验的可重复性和稳定性较好，在太阳电池方面有较好的应用价值。
-
公开(公告)号：CN107871795B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201711143306.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜带隙梯度的调控方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式通过叠层实现CZCTSSe薄膜带隙梯度的变化，可用于制备具有CZCTSSe带隙梯度变化的薄膜太阳电池。本发明采用柔性钼作为衬底，高纯钼箔的利用解决了薄膜与衬底间的粘附性问题，并取代了电池结构中的溅射金属导电背接触层，从而降低了制造成本；采用溶液法溶解单质制备前驱体溶液，避免了溶解金属盐时会引入杂质离子的缺点，且溶液法成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，实用性强。
-
公开(公告)号：CN107871795A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711143306.2
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032
CPC classification number: H01L31/0323
Abstract: 本发明涉及一种基于柔性钼衬底的镉掺杂铜锌锡硫硒薄膜带隙梯度的调控方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式通过叠层实现CZCTSSe薄膜带隙梯度的变化，可用于制备具有CZCTSSe带隙梯度变化的薄膜太阳电池。本发明采用柔性钼作为衬底，高纯钼箔的利用解决了薄膜与衬底间的粘附性问题，并取代了电池结构中的溅射金属导电背接触层，从而降低了制造成本；采用溶液法溶解单质制备前驱体溶液，避免了溶解金属盐时会引入杂质离子的缺点，且溶液法成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，实用性强。
-
公开(公告)号：CN104103756A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410357066.6
申请日：2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法，所述阻变存储器包括：一基片；一第一端电极，设置于基片上；一经等离子处理过的阻变存储介质，设置于第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为：采用限制流经阻变存储介质电流的方式，对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态，从而重复、稳定地实现多值存储。
-
公开(公告)号：CN107910390A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711143332.5
申请日：2017-11-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0326 , H01L31/0327 , H01L31/072
Abstract: 本发明公开了一种银单质掺杂的CZTSSe薄膜制备方法及其在柔性太阳电池中的应用。通过Ag掺杂可以改善薄膜的质量，有效提高器件的开路电压、填充因子、光电转换效率以及有效改善带尾态现象，实验的可重复性和稳定性较好，在太阳电池方面有较好的应用价值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531660A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310486713.9
申请日：2013-10-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0352
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828 , H01L21/02474 , H01L21/02499 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。
-
公开(公告)号：CN106098844A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610490142.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性钼衬底的铜锌锡硫的铝电极的制备方法。首先用电沉积法清洗柔性钼箔片，然后用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，最后依次使用化学水浴法、溅射法、蒸发法制备缓冲层、窗口层、电极。采用柔性钼作为电池的背电极，减低薄膜太阳能电池及其器件的制造成本；采用环境友好型的CZTS作为电池的吸收层，绿色环保，热膨胀系数与钼箔基底相匹配；且CZTS制备工艺简单，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105140317A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510450613.X
申请日：2015-07-29
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开了一种Zn(O,S)薄膜及其制备方法和应用，属于半导体薄膜材料技术领域。在真空条件下，通过电子束蒸发的方法蒸发ZnS陶瓷颗粒，使之沉积在玻璃衬底上形成ZnS薄膜，然后通过在氧气氛围下氧化ZnS薄膜的方法掺入O元素，形成Zn(O,S)薄膜。这种方法制作出的Zn(O,S)薄膜可以通过控制氧化温度来实现不同含量的O元素掺杂，它可以代替CdS用于薄膜太阳能电池的缓冲层中，不仅可以使电池器件的生产更加环保经济，而且它操作简单，制备出来的薄膜光学透过率高，禁带宽度大小可以调节，能增加光电子的收集效率从而增大电池的短路电流，提高太阳能电池的转化效率。
-
公开(公告)号：CN103606591A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310571098.1
申请日：2013-11-13
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/0324
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池吸收层材料铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括采用溶胶凝胶法制备金属预制层薄膜和金属预制层薄膜的硫化。本发明中所采用的三乙醇胺可以有效的起到稳定剂的作用，使得所制备的薄膜的性能有所提高，具有良好的物质结构和光电特性。本发明的薄膜成份可以精确控制，制备成本低廉，操作过程简单。本发明利用改变硫化温度的方法选取较好的硫化条件，通过测试表明：在500℃的硫化温度下，硫化制备出的铜锌锡硫薄膜光电性能较好，其中，光学带隙1.47eV，电阻率、迁移率和载流子浓度分别为581.5Ω·cm、1.411cm2/(V·s)和2.165×1016cm-3，适宜作为太阳电池的吸收层材料。
-
公开(公告)号：CN104103756B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410357066.6
申请日：2014-07-25
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种阻变存储器及采用其实现多值存储的方法，所述阻变存储器包括：一基片；一第一端电极，设置于基片上；一经等离子处理过的阻变存储介质，设置于第一端电极的右侧或上方；一第二端电极，设置于阻变存储介质的右侧。采用所述阻变存储器实现多值存储的方法为：采用限制流经阻变存储介质电流的方式，对阻变存储介质的阻态进行调整。通过不同限制电流获得阻变存储介质的不同阻态，从而重复、稳定地实现多值存储。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.027 seconds)
