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公开(公告)号：CN119789571A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411945951.6
申请日：2024-12-27
Abstract: 本发明公开了一种CuO牺牲层修饰Mo/CZTSSe背界面的方法，其是在Mo/CZTSSe背界面处引入一层CuO牺牲层，以实现对背界面的修饰。CuO牺牲层的引入可阻止Se向衬底扩散，减薄MoSe2厚度，降低背界面接触电阻，同时，Cu离子向CZTSSe薄膜扩散，形成CuxSey液相，可促进其晶体生长，提高薄膜质量。该处理可同时改善背界面和CZTSSe吸收层质量，有效降低串联电阻和载流子复合，极大提高CZTSSe太阳电池的性能，使电池效率从9.23%提升到10.57%，为高效CZTSSe太阳电池的制备提供新的思路。
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公开(公告)号：CN112490332B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112531036B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202011469652.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，采用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式制备薄膜，由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成，银含量从上往下梯度降低，铟含量从下往上梯度降低，可用于柔性太阳电池。本发明制得的银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜中，从下往上为P+型—P型—P‑/N+型的分布，薄膜内形成一个弱电场，这一电场促进空穴流向背接触界面、电子流向硫化镉和吸收层界面，增强对吸收层内部载流子的抽取能力，促进载流子的收集，提高了CZTSSe薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112531036A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011469652.1
申请日：2020-12-15
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法，采用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式制备薄膜，由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成，银含量从上往下梯度降低，铟含量从下往上梯度降低，可用于柔性太阳电池。本发明制得的银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜中，从下往上为P+型—P型—P‑/N+型的分布，薄膜内形成一个弱电场，这一电场促进空穴流向背接触界面、电子流向硫化镉和吸收层界面，增强对吸收层内部载流子的抽取能力，促进载流子的收集，提高了CZTSSe薄膜太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN114843355B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN112490332A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011502106.3
申请日：2020-12-17
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法，其特征在于，在CZTSSe/CdS异质结界面形成Li掺杂，实现晶界处纳米电场反转，钝化异质结界面缺陷，抑制载流子复合；在CZTSSe/Mo背接触界面形成Ge掺杂，实现能带调控，钝化背接触界面缺陷，抑制电子流向背接触界面，减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率，而且工艺简单、成本低廉、绿色环保，满足了大规模批量生产与商业化的需求，制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上，具有较强的推广与应用价值。
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公开(公告)号：CN114843355A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210422926.4
申请日：2022-04-21
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种大面积CZTSSe太阳电池及其制备方法，该太阳电池沿入射光方向，依次包括Ag电极、ITO/CdS窗口层、CZTSSe吸收层和衬底，所述ITO/CdS窗口层由CdS层和ITO层组成；其制备方法包括：（1）清洗衬底，然后用去离子水冲洗干净并用氮气吹干，得到洁净的衬底；（2）在洁净的衬底上制备CZTSSe前驱体薄膜；采用高温硒化技术，硒化前驱体薄膜，得到结晶性良好的CZTSSe吸收层；（3）利用化学水浴沉积法和磁控溅射法，在CZTSSe吸收层上依次沉积CdS层和ITO层；（4）利用真空蒸镀技术在ITO层上沉积Ag电极。该太阳电池提高了大面积CZTSSe太阳电池器件的填充因子，进而提高了器件性能。
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