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公开(公告)号：CN118888629A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921206.1
申请日：2024-07-10
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硫化锑双面光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。所述光电探测器从衬底到表面分别为FTO衬底、硒化锑插入层、硫化锑吸光层、CdS缓冲层、ZnO/ITO窗口层、金属电极。双面光电探测器结构为玻璃/FTO/Sb2Se3/Sb2S3/CdS/ZnO/ITO/Ag其中硫化锑和硒化锑薄膜采用快速热蒸发法制备，引入硒化锑作为空穴传输层，有利于提高载流子分离的效率，实现良好的能带匹配。本发明制备的硫化锑薄膜双面光电探测器，可实现自供电并探测双面光照信号，识别区分光源波段与光强，可应用于定位探测。该探测器制备成本低廉、绿色环保，应用前景大。
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