-
公开(公告)号：CN101652676A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011346.4
申请日：2008-04-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·M·斯诺尔仁 , H·施泰因豪泽 , N·J·努尔德霍尔克 , M·西蒙
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/20
Abstract: 根据本发明的一个实施例，用于探测初级辐射(6)的辐射探测器设备(10)包括：闪烁体(12)，其响应于入射的初级辐射(6)产生经转换的初级辐射；以及光电探测器(14)，其用于探测所述经转换的初级辐射。所述辐射探测器设备(10)还包括次级辐射源(20)，其用于以次级辐射(22)照射所述闪烁体(12)，所述次级辐射(22)具有的波长不同于所述第一辐射(6)的波长并能够为初级辐射产生闪烁体(12)的空间上更均匀的响应。本发明的一个实施例中，辐射探测器设备(10)是X射线成像设备的X射线探测器，其中初级辐射是X射线辐射，并且次级辐射具有350nm和450nm之间的波长。根据一个实施例，具有次级辐射(例如，UV辐射)的照射产生X射线探测器(10)的均匀增益分布。
-
公开(公告)号：CN101116189A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200680004364.0
申请日：2006-01-26
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L31/115 , H01L31/032 , C01G21/06 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/09
Abstract: 本发明提供一种用于制造具有光敏层的光响应设备的方法。该方法包括以下步骤：a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底；b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(PbO)以在衬底的表面上形成籽晶层；c)使籽晶层感光，从而仅仅四方晶系的氧化铅形成籽晶层和/或从而使形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅；以及d)继续蒸发氧化铅，直到已经将最终厚度的光敏层沉积到衬底上。因此，该方法产生包括氧化铅的光敏层的光响应设备，其完全由四方晶系的氧化铅组成。
-
公开(公告)号：CN105717532A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610081264.3
申请日：2008-04-09
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·M·斯诺尔仁 , H·施泰因豪泽 , N·J·努尔德霍尔克 , M·西蒙
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/2928
Abstract: 一种提供与针对初级辐射的闪烁体的空间增益分布有关的信息的方法，其不需要利用初级辐射来照射闪烁体。所述方法包括利用次级辐射照射闪烁体，以为所述次级辐射生成闪烁体的空间次级增益分布的图像。所述空间次级增益分布图像与针对初极辐射的空间初级增益分布的图像相对应。在本发明的一个实施例中，即，在初级辐射是X射线辐射的X射线成像设备中，本发明提供X射线探测器的精确校准而不需要利用X射线辐射来照射X射线探测器。而是，利用UV辐射作为次级辐射的照射提供了可用于校准的所期望的空间次级增益分布图像。
-
公开(公告)号：CN101518056B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200780035472.9
申请日：2007-09-17
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H04N5/35518 , H04N5/32 , H04N5/3597 , H04N5/361
Abstract: 本申请描述了一种X射线检测器，其使用与CMOS像素电路结合的直接X射线转换(DiCo)。DiCo材料必须在高电压下使用以实现高场强。这使得传感器易于产生泄漏电流，其伪造所测量的充电结果。此外，大部分直接转换材料遭受引起X射线图像序列中的时间伪差(鬼像)的大量残差信号。描述了一种电路，其感测传感器的暗电流，该暗电流包括源自传感器被X射线(再次)照射之前的先前照射的残差信号，并且以在照射期间仍然可以消耗暗电流(泄漏电流和残差信号)的方式冻结感测阶段末期的相关电路参数。因此，可以在不具有泄漏电流或残差信号所携带的电荷的情况下对由于X射线照射而在传感器中产生的电荷脉冲进行积分，从而获得对所沉积的X射线能量的更准确估计。
-
公开(公告)号：CN101518056A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035472.9
申请日：2007-09-17
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
CPC classification number: H04N5/35518 , H04N5/32 , H04N5/3597 , H04N5/361
Abstract: 本申请描述了一种X射线检测器，其使用与CMOS像素电路结合的直接X射线转换(DiCo)。DiCo材料必须在高电压下使用以实现高场强。这使得传感器易于产生泄漏电流，其伪造所测量的充电结果。此外，大部分直接转换材料遭受引起X射线图像序列中的时间伪差(鬼像)的大量残差信号。描述了一种电路，其感测传感器的暗电流，该暗电流包括源自传感器被X射线(再次)照射之前的先前照射的残差信号，并且以在照射期间仍然可以消耗暗电流(泄漏电流和残差信号)的方式冻结感测阶段末期的相关电路参数。因此，可以在不具有泄漏电流或残差信号所携带的电荷的情况下对由于X射线照射而在传感器中产生的电荷脉冲进行积分，从而获得对所沉积的X射线能量的更准确估计。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101652676B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880011346.4
申请日：2008-04-08
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·M·斯诺尔仁 , H·施泰因豪泽 , N·J·努尔德霍尔克 , M·西蒙
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/20
Abstract: 根据本发明的一个实施例，用于探测初级辐射(6)的辐射探测器设备(10)包括：闪烁体(12)，其响应于入射的初级辐射(6)产生经转换的初级辐射；以及光电探测器(14)，其用于探测所述经转换的初级辐射。所述辐射探测器设备(10)还包括次级辐射源(20)，其用于以次级辐射(22)照射所述闪烁体(12)，所述次级辐射(22)具有的波长不同于所述第一辐射(6)的波长并能够为初级辐射产生闪烁体(12)的空间上更均匀的响应。本发明的一个实施例中，辐射探测器设备(10)是X射线成像设备的X射线探测器，其中初级辐射是X射线辐射，并且次级辐射具有350nm和450nm之间的波长。根据一个实施例，具有次级辐射(例如，UV辐射)的照射产生X射线探测器(10)的均匀增益分布。
-
公开(公告)号：CN101116189B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200680004364.0
申请日：2006-01-26
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: H01L31/115 , H01L31/032 , C01G21/06 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/09
Abstract: 本发明提供一种用于制造具有光敏层的光响应设备的方法。该方法包括以下步骤：a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底；b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(PbO)以在衬底的表面上形成籽晶层；c)影响所述籽晶层，从而仅仅四方晶系的氧化铅形成籽晶层和/或从而使形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅；以及d)继续蒸发氧化铅，直到已经将最终厚度的光敏层沉积到衬底上。因此，该方法产生包括氧化铅的光敏层的光响应设备，其完全由四方晶系的氧化铅组成。
-
公开(公告)号：CN101490580A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027224.X
申请日：2007-07-12
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14658 , H01L27/14676
Abstract: 一种用于探测电磁辐射(106)的探测器单元(301)，所述探测器单元(301)包括：转换材料(332)，适于将入射电磁辐射(106)转换为电荷载流子；电荷收集电极(331)，适于收集所转换的电荷载流子；屏蔽电极(334，335)，适于与所述电荷收集电极(331)形成电容；以及评估电路(312至315)，电耦接至所述电荷收集电极(331)，并适于基于所收集的电荷载流子来评估所述电磁辐射(106)。
-
公开(公告)号：CN105717532B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610081264.3
申请日：2008-04-09
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
Inventor： R·M·斯诺尔仁 , H·施泰因豪泽 , N·J·努尔德霍尔克 , M·西蒙
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/2928
Abstract: 一种提供与针对初级辐射的闪烁体的空间增益分布有关的信息的方法，其不需要利用初级辐射来照射闪烁体。所述方法包括利用次级辐射照射闪烁体，以为所述次级辐射生成闪烁体的空间次级增益分布的图像。所述空间次级增益分布图像与针对初极辐射的空间初级增益分布的图像相对应。在本发明的一个实施例中，即，在初级辐射是X射线辐射的X射线成像设备中，本发明提供X射线探测器的精确校准而不需要利用X射线辐射来照射X射线探测器。而是，利用UV辐射作为次级辐射的照射提供了可用于校准的所期望的空间次级增益分布图像。
-
公开(公告)号：CN102209912B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN200980144530.0
申请日：2009-11-09
Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司
IPC: G01T1/29
CPC classification number: G01T1/249 , G01T1/24 , G01T1/2928
Abstract: 本发明涉及一种用于辐射探测器、具体用于谱CT扫描器的转换器元件(100)。所述转换器元件(100)包括至少两个转换元(131)，其至少部分由中间的分隔壁(135)彼此分隔，所述分隔壁影响入射辐射(X)生成的电信号的扩展。所述转换元(131)具体可以包括CdTe和/或CdZnTe晶体。优选通过例如在预先形成的分隔壁之间进行气相沉积来生长所述晶体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.022 seconds)
