公开(公告)号：CN101116189A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200680004364.0

申请日：2006-01-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·西蒙 ,  D·U·韦彻特 ,  C·菲尔德曼

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/032 ,  C01G21/06 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/09

Abstract: 本发明提供一种用于制造具有光敏层的光响应设备的方法。该方法包括以下步骤：a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底；b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(PbO)以在衬底的表面上形成籽晶层；c)使籽晶层感光，从而仅仅四方晶系的氧化铅形成籽晶层和/或从而使形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅；以及d)继续蒸发氧化铅，直到已经将最终厚度的光敏层沉积到衬底上。因此，该方法产生包括氧化铅的光敏层的光响应设备，其完全由四方晶系的氧化铅组成。

公开(公告)号：CN101116189B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200680004364.0

申请日：2006-01-26

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： M·西蒙 ,  D·U·韦彻特 ,  C·菲尔德曼

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/032 ,  C01G21/06 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/09

Abstract: 本发明提供一种用于制造具有光敏层的光响应设备的方法。该方法包括以下步骤：a)在抽空的蒸发室内部提供干净的衬底；b)从第一坩埚中蒸发氧化铅(PbO)以在衬底的表面上形成籽晶层；c)影响所述籽晶层，从而仅仅四方晶系的氧化铅形成籽晶层和/或从而使形成籽晶层的最初生长的斜方晶系的氧化铅变换成四方晶系的氧化铅；以及d)继续蒸发氧化铅，直到已经将最终厚度的光敏层沉积到衬底上。因此，该方法产生包括氧化铅的光敏层的光响应设备，其完全由四方晶系的氧化铅组成。