-
公开(公告)号：CN103325835B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310202568.7
申请日：2013-05-28
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种具有结型场板结构的SOI功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。这种JFP SOI LDMOS器件采用PN结作为场板，并利用高K介质作为场板介质。一方面，结型场板的PN结电场调制器件表面电场，改善器件的电场分布，提高器件耐压；另一方面，在反向阻断状态时，结型场板辅助耗尽器件漂移区，使器件漂移区掺杂浓度大幅提高，从而降低导通电阻；高K介质用作场介质层，更有利于导通电阻和静态功耗的降低。与常规金属场板相比，结型场板技术还有效地避免了场板末端存在电场尖峰的缺陷；与多晶电阻场板相比，结型场板PN结势垒的存在能避免大的泄漏电流的产生。此外，本发明也与SOI CMOS电路具有很好的兼容性。
-
公开(公告)号：CN103268890B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310202668.X
申请日：2013-05-28
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板中PN结电场分布调制器件表面电场，使器件表面电场分布更加均匀，能有效避免金属场板末端电场尖峰的不足，提高器件的击穿特性；反向阻断状态下，结型场板对漂移区有辅助耗尽作用，能大幅提高漂移区掺杂水平，降低器件导通电阻；同时，结型场板中PN结反向偏置时反向电流小，有利降低场板中的泄漏电流，衬底中的埋层能有效提高器件耐压特性。本发明的器件具有高压、低功耗、低成本与易集成的特点，适用于功率集成电路与射频功率集成电路。
-
公开(公告)号：CN105047702A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510410157.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/66681 , H01L29/401 , H01L29/42356 , H01L29/42364
Abstract: 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层，所述介质隔离层上表面的第一导电类型半导体有源层形成辅助半导体层；在辅助半导体层中注入第二导电类型半导体杂质；刻蚀辅助半导体层两端至介质隔离层表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；在第一有源区窗口制造体区和生成源极金属，在第二有源区窗口制造漏接触区和生成漏极金属。本发明的有益效果为，可以保证延伸栅为单晶硅材料，避免多晶栅对于延伸栅器件电学性能的影响。
-
公开(公告)号：CN104201206A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410439282.5
申请日：2014-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L29/0684
Abstract: 一种横向SOI功率LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。器件包括衬底、介质埋层及其上的半导体有源层，半导体有源层中形成槽型辅助积累结构，槽型辅助积累结构两侧为漂移区。槽型辅助积累结构由两层槽型隔离介质中间夹一层半导体高阻区形成，半导体高阻区中形成集成二极管。本发明在器件开态时，槽型辅助积累结构与漂移区界面处形成多子积累层，构成一条电流低阻通道，显著降低器件比导通电阻。关断状态，半导体高阻区承受耐压。开态电流大部分流经多子积累层，使得比导通电阻几乎与漂移区掺杂浓度无关，有效地缓解击穿电压与比导通电阻的矛盾关系。
-
公开(公告)号：CN102176027B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110026276.3
申请日：2011-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S19/21
Abstract: 本发明公开了一种高动态干扰自跟踪稳健抑制方法，主要解决常规抗干扰方法对动态干扰抑制效果不佳的问题。其实现过程为：利用两重循环实现动态干扰抑制，内循环完成动态干扰的特征跟踪，用t-1时刻第i个干扰特征向量wi(t-1)和t时刻接收数据X(：，t)获得t时刻特征波束输出yi(t)，然后用t时刻特征波束输出yi(t)和t-1时刻第i个动态干扰的特征值di(t-1)更新t时刻的动态干扰特征值di(t)和t时刻干扰特征向量wi(t)，再用t时刻干扰特征向量wi(t)和特征波束输出yi(t)更新t时刻接收数据矢量X(：，t)；外循环用所有动态干扰特征向量wi(t)组成加宽动态干扰特征矩阵F，然后估计出抗干扰权矢量h，再用抗干扰权矢量h对接收数据加权完成动态干扰抑制。本发明干扰抑制效果明显好，其输出信干噪比更接近理论最优值，可用于对空间动态干扰的抑制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101339245B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810150581.1
申请日：2008-08-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多基线干涉合成孔径雷达干涉相位展开方法。其过程为对卫星接收M幅回波数据分别进行SAR成像处理；选择SAR成像处理后的任意一幅图像作为主图像，以主图像为参考用相关法，分别对其它的图像进行粗配准，得到M-1幅粗配准SAR图像；利用粗配准后的SAR图像构造最优加权联合数据矢量jx(i，wopt)；根据最优加权联合数据矢量估计协方差矩阵Covjx(i，wopt)并对协方差矩阵进行特征分解，得出代价函数；将代价函数的输出功率最小值所对应的干涉相位作为干涉相位展开结果；对每一像素重复执行上述相关过程得到整个图像的干涉相位展开结果。本发明具有运算量小，在SAR图像配准精度很差时准确地展开干涉相位的优点，可用于对地面高分辨率、高精度三维地形重构和地面动目标检测。
-
公开(公告)号：CN100545676C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200710018709.4
申请日：2007-09-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相关加权的干涉合成孔径雷达干涉相位估计方法。该方法的实现过程为：用传统的相关法以主图像1为参考对副图像2进行粗配准，得到粗配准图像3；利用主图像1和粗配准图像3，构造相关加权观测矢量si(i，w(i))；根据相关加权观测矢量估计协方差矩阵Csi(i，w(i))；由协方差矩阵得到代价函数JBF；通过代价函数估计干涉相位，即用导向矢量和协方差矩阵进行波束扫描，并将波束形成的输出功率最大值所对应的干涉相位作为干涉相位估计结果。本发明具有运算量小和估计干涉相位准确之优点，可用于在合成孔径雷达SAR图像配准精度很差的条件下对其相应像素间的干涉相位进行准确地估计。
-
公开(公告)号：CN105047702B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510410157.6
申请日：2015-07-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于半导体技术，具体的说是涉及一种LDMOS器件的制造方法。本发明LDMOS器件制造方法的主要步骤为：在第二导电类型半导体衬底上表面生成第一导电类型半导体有源层；在第一导电类型半导体有源层上层注入离子形成介质隔离层，所述介质隔离层上表面的第一导电类型半导体有源层形成辅助半导体层；在辅助半导体层中注入第二导电类型半导体杂质；刻蚀辅助半导体层两端至介质隔离层表面形成第一有源区窗口和第二有源区窗口；在第一有源区窗口制造体区和生成源极金属，在第二有源区窗口制造漏接触区和生成漏极金属。本发明的有益效果为，可以保证延伸栅为单晶硅材料，避免多晶栅对于延伸栅器件电学性能的影响。
-
公开(公告)号：CN103454632B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310242314.8
申请日：2013-08-24
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 本发明公开一种一站固定式调频连续波双基地SAR成像算法，主要解决现有方法不能同时校正方位向距离徙动空变性和方位调频率空变性的问题。其实现步骤是：（1）获取目标的两维时域回波信号，并计算其距离频域方位时间域回波信号；（2）根据距离频域方位时间域回波信号校正方位向距离徙动空变性和方位调频率空变性；（3）对校正后的信号补偿剩余相位，并校正距离向距离徙动的空变性；（4）对距离向距离徙动空变性校正后的信号进行方位向脉冲压缩，并做方位向逆傅里叶变换得到目标时域图像。本发明具有能够同时校正方位向距离徙动空变性和方位调频率空变性以及实现效率高的优点，可用于一站固定式调频连续波双基地SAR的成像。
-
公开(公告)号：CN103954961A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410200665.7
申请日：2014-05-13
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/89
CPC classification number: G01S13/89 , G01S13/93 , G01S2007/356
Abstract: 本发明公开了一种步进频雷达低空障碍物超分辨一维成像方法，涉及步进频雷达超分辨成像方法。其步骤为：步骤1，通过步进频雷达得到距离场景的接收数据矢量；步骤2，接收数据矢量去噪得到观测矢量；步骤3，距离场景栅格划分得到栅格距离；步骤4，根据观测矢量和栅格距离构造字典矩阵；步骤5，利用稀疏恢复误差比率的变化，使用零空间调整方法，根据字典矩阵和观测矢量得到距离恢复矢量，并根据各个时刻的距离恢复矢量获得一维像。本发明主要解决常规压缩感知对噪声敏感、已知散射点个数及传统方法中IFFT后出现冗余问题，可用于步进频雷达低空障碍物检测与定位，是实现低空飞行器自主避险的前提。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
36
records
(took 0.09 seconds)
