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公开(公告)号：CN117156875B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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公开(公告)号：CN117202676B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311476265.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、p‑型半结晶聚合物层、p‑型无定形导电聚合物层、低方块电阻聚合物层和栅线电极结构。本发明以p‑型半结晶聚合物为空穴传输层材料，利用p‑型无定形导电聚合物填充p‑型半结晶聚合物在结晶成膜过程中形成的微小孔洞，阻碍钙钛矿分解产物向外扩散和水氧向内扩散的过程，增强钙钛矿太阳能电池的稳定性；采用栅线电极结构降低电极接触面积，缓解钙钛矿太阳能电池老化，低方块电阻聚合物层有
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公开(公告)号：CN117202676A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311476265.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、p‑型半结晶聚合物层、p‑型无定形导电聚合物层、低方块电阻聚合物层和栅线电极结构。本发明以p‑型半结晶聚合物为空穴传输层材料，利用p‑型无定形导电聚合物填充p‑型半结晶聚合物在结晶成膜过程中形成的微小孔洞，阻碍钙钛矿分解产物向外扩散和水氧向内扩散的过程，增强钙钛矿太阳能电池的稳定性；采用栅线电极结构降低电极接触面积，缓解钙钛矿太阳能电池老化，低方块电阻聚合物层有效减小低方块电阻聚合物层与相邻两条副栅线之间的横向阻值，以避免光电转换效率下降。
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公开(公告)号：CN117156875A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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