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公开(公告)号：CN117202676B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311476265.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、p‑型半结晶聚合物层、p‑型无定形导电聚合物层、低方块电阻聚合物层和栅线电极结构。本发明以p‑型半结晶聚合物为空穴传输层材料，利用p‑型无定形导电聚合物填充p‑型半结晶聚合物在结晶成膜过程中形成的微小孔洞，阻碍钙钛矿分解产物向外扩散和水氧向内扩散的过程，增强钙钛矿太阳能电池的稳定性；采用栅线电极结构降低电极接触面积，缓解钙钛矿太阳能电池老化，低方块电阻聚合物层有
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公开(公告)号：CN117156875B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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公开(公告)号：CN117420104A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310871877.7
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种高通量自动化荧光光谱的拟合分峰方法，属于计算机数据处理领域。本发明包括：接收高通量实验设备端产生的荧光光谱序列数据并整理成为数据集合，提取对应数据并进行分区处理，对每种初步分区数据进行初始化，重复多次，得到多组初始化参数集；以每一组初始化参数集作为初始化条件，调用被修正EM方法进行Gauss拟合，并获得相应的Gauss参数集，重复多次，得到多种Gauss参数集；度量每一种的拟合效果并从中选取最佳拟合拟合参数，并进行对应的可视化展示。本发明可以对半导体材料高通量实验和生产中所产生巨量荧光光谱数据实现高通量的精确拟合，提供拟合后可直接分析的荧光峰参数以及可视化数据图像。
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公开(公告)号：CN117202676A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311476265.4
申请日：2023-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于三层导电聚合物和栅线电极结构的钙钛矿太阳能电池，属于钙钛矿电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿层、p‑型半结晶聚合物层、p‑型无定形导电聚合物层、低方块电阻聚合物层和栅线电极结构。本发明以p‑型半结晶聚合物为空穴传输层材料，利用p‑型无定形导电聚合物填充p‑型半结晶聚合物在结晶成膜过程中形成的微小孔洞，阻碍钙钛矿分解产物向外扩散和水氧向内扩散的过程，增强钙钛矿太阳能电池的稳定性；采用栅线电极结构降低电极接触面积，缓解钙钛矿太阳能电池老化，低方块电阻聚合物层有效减小低方块电阻聚合物层与相邻两条副栅线之间的横向阻值，以避免光电转换效率下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117156875A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311422222.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非接触钝化的高性能太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括自下而上依次的透明导电衬底、电子传输层、光活性层、p‑型半结晶聚合物层、笼状分子非接触钝化层、欧姆接触层和电极层。本发明通过制备CC系列材料，诱导p‑型半结晶聚合物堆叠排布，降低p‑型半结晶聚合物的带尾态面积，使光活性层与p‑型半结晶聚合物层之间的界面缺陷得以控制；欧姆接触层对笼状分子非接触钝化层进行路易斯酸分子掺杂，以提升载流子迁移率；路易斯酸分子的吸电子特性有助于p‑型半结晶聚合物层与电极层欧姆接触；致密的笼状分子非接触钝化层还能阻止路易斯酸分子渗透，保证器件稳定性，进一步提升器件光电转化效率。
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公开(公告)号：CN220345889U
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202321855117.9
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: B01L9/00
Abstract: 本实用新型涉及承托机构技术领域，具体提供一种玻片角的承托部件及玻片承托装置，旨在解决采用现有方式夹持玻片易使玻片角出现受力破损的问题。为此目的，本实用新型的玻片角的承托部件包括基体，基体的上部分横向形成有承托槽，承托槽继续横向形成有避让槽，在玻片角承托在承托槽上的情形下，玻片角与避让槽的侧壁具有间隙。本实用新型通过承托方式实现对玻片的抬起、移动和放置等，能够减少玻片在被移动过程中产生的内部应力，同时，玻片角与避让槽侧壁之间的间隙能够防止玻片角与承托部件发生碰撞而受损，保证玻片的正常使用。
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公开(公告)号：CN220329136U
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202321855116.4
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及旋涂技术领域，具体提供一种旋涂用托盘及旋涂装置，旨在解决现有的旋涂用托盘不易于旋涂基板的取放以及托盘转动时产生的气流涡旋影响旋涂的均匀性进而旋涂成膜质量不佳的问题。为此目的，本实用新型的旋涂用托盘包括主体，主体的顶部向下凹陷形成基板容纳部和用于围设基板容纳部的周边结构，周边结构具有抓取避让缺口，周边结构的外周侧呈圆弧设置。本实用新型的旋涂用托盘可以实现对旋涂基板的容纳，且便于采用手持或者自动夹持的方式将旋涂基板抬起/放下，提高操作的便捷性，以及在托盘旋转的过程中能够尽可能降低气流涡旋，降低不均匀气流对旋涂的影响，使得旋涂更加均匀，提高旋涂成膜质量。
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公开(公告)号：CN221100588U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202322580162.4
申请日：2023-09-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本实用新型涉及叉指电极技术领域，具体提供了一种复合叉指电极。旨在解决现有叉指电极的结构设置方式难以应对复杂的使用需求的问题。为此，本实用新型的复合叉指电极包括基底以及设置在基底上的公用电极和多个子电极，公用电极包括多个电极连接结构，每个电极连接结构包括间隔设置的多个第一叉指，每个子电极包括间隔设置的多个第二叉指，电极连接结构和子电极一一对应，每组电极连接结构和子电极相对应的第一叉指和第二叉指交错排布。基于上述结构设置，本实用新型的公用电极能够同时与多个子电极配合使用，以使复合叉指电极能够同时拥有多个测试区域，更有利于应对复杂的使用需求。
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公开(公告)号：CN220595531U
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202321855113.0
申请日：2023-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本实用新型涉及承载机构技术领域，具体提供一种片材承载部件及片材载架组件，旨在解决现有承载多个片材的承载部件在有限的空间尺寸要求下不易布置，不便于每个片材的抬起/放下的问题。为此目的，本实用新型的片材承载部件包括基板，基板上具有多个片材承载部，每个片材承载部的边沿均形成有抓取避让槽，抓取避让槽的内底部的位置低于片材承载部用于承载片材的承载面的位置。本实用新型的片材承载部件能够同时承载多个片材，每个片材均具有自身独立的片材承载部，便于片材的单独摆放，通过每个对应的抓取避让槽可以实现对应的片材的单独抬起/放下，从而在有限的空间尺寸要求下实现每个片材的手持或自动夹持，提高操作的便捷性。
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