一种基于训练后量化的视频超分方法

    公开(公告)号:CN117274049A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311018629.4

    申请日:2023-08-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于训练后量化的视频超分方法,首先使用数据集训练FP32的模型,然后使用TensorRT对模型进行部署;最后使用数据集进行int8量化以及校准。本发明提出了视频超分网络的优化方法能够有效的减少参数量,缩短推理时间。并实现部分场景下的落地使用。本发明基于TensorRT对FRVSR做训练后静态量化,并针对量化误差大的层做分组量化,能够保证最终的量化精度,并提出了具体的实现方案,能够有效的优化FRVSR在GPU上的推理部署。

    基于空间数据增强和对称互注意力的跨模态行人重识别方法

    公开(公告)号:CN116978093A

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN202310838299.7

    申请日:2023-07-10

    Abstract: 本发明公开了基于空间数据增强和对称互注意力的跨模态行人重识别方法,其实现方案为:针对跨模态行人的空间数据增强方法,通过分区图像混合的方式生成行人相关的信息;构建针对跨模态行人重识别的双流深度学习模型,将混合后的图像分解为模态共享特征和模态特定特征;利用对称互注意力模块将模态共享特征和模态特定特征进行融合,生成更加具有辨别性的行人特征。本发明在不引入额外信息的前提下,通过空间数据增强和特征信息补偿提升模型的判别精度,增强不同模态下行人的查找能力,可以用于安防监控,自动驾驶,相册分类以及人机交互等领域。

    基于碳纳米管和银纳米线复合导电薄膜的柔性应力传感器

    公开(公告)号:CN107655598A

    公开(公告)日:2018-02-02

    申请号:CN201710820185.4

    申请日:2017-09-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于碳纳米管和银纳米线复合导电薄膜的柔性应力传感器,属于柔性应力传感器技术领域。本发明通过将CNTs分散在乙二醇中,并在分散溶液中合成AgNWs。然后使用喷涂的方法将合成好的复合物转移到PDMS柔性衬底上,以制备CNTs和AgNWs的复合导电薄膜导电电极,最后再用一层PDMS柔性衬底封装成一种高稳定性的柔性应力传感器。本发明采用碳纳米管的乙二醇分散液化学合成CNTs和AgNWs的复合物,提高了CNTs和AgNWs的黏结性,这将使得柔性应力传感器的稳定性、响应性大大提高。并且CNTs和AgNWs的复合,在不改变原来柔韧性、延展性和透明性的基础上,还提高了导电性,节省了能源,极大地拓宽了它在柔性电子方面的应用。

    一种相位自校正的I/Q正交混频器

    公开(公告)号:CN111953303A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010729460.3

    申请日:2020-07-27

    Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域,具体涉及一种相位自校正的I/Q正交混频器。本发明通过FPGA检测中频IF信号的相位误差,根据误差范围相应调节PAPPF,从而改变本振LO信号的相位,通过改变本振LO信号的相位实现减小中频IF信号的相位误差的目的;再继续检测中频IF信号的相位误差进而调整PAPPA,直至中频IF信号的相位误差达到预期最终输出。与传统正交混频器相比,本发明所用元件更少,片上面积更小功耗更低,相位校正灵活便捷,闪烁噪声低,噪声系数小;采用了可编程的FPGA适应性更佳,不受限于场景的变化,可以广泛应用于各类宽/窄带接收机中。

    基于Pd膜的致密均匀纳米微结构的柔性氢气传感器

    公开(公告)号:CN107748188A

    公开(公告)日:2018-03-02

    申请号:CN201710816618.9

    申请日:2017-09-12

    CPC classification number: G01N27/26

    Abstract: 本发明公开了一种基于Pd膜的致密均匀纳米微结构的柔性氢气传感器,属于柔性氢气传感器技术领域。本发明通过使PSCP单层致密均匀的排列在硅片上,然后将PSCP转移至PDMS(聚二甲基硅氧烷)上,接着固化PDMS并溶解掉PSCP产生具有纳米微结构的PDMS,最后在具有纳米微结构的PDMS表面溅射一层不连续的Pd膜并加载一对Au电极。该发明工艺简单,并且使用的PDMS柔性衬底具有韧性大、弹性模量大等优良性能。由此制备出的柔性氢气传感器,不仅显著提高了其性能,而且大大拓宽了应用范围。

    一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管

    公开(公告)号:CN105870182A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610250783.8

    申请日:2016-04-20

    CPC classification number: H01L29/772 H01L29/0607 H01L29/423 H01L29/42316

    Abstract: 本发明公开一种三明治结构双栅垂直隧穿场效应晶体管,包括源区、漏区、沟道区、阻挡层、上绝缘介质层、下绝缘介质上栅极和下栅极;其中漏区和沟道区构成一个整体,采用同一种掺杂类型半导体材料,从漏区到沟道区的掺杂浓度相同,源区采用不同于漏区和沟道区的掺杂类型。源区和漏区中间有一层阻挡层,不直接接触。本发明使用对称垂直双栅结构,增加了隧穿接触面积,减小隧穿势垒宽度,增大导通电流,阻挡层和延伸的栅电极有效抑制了器件的关态漏电,通过减小体硅厚度和使用High?K栅介质可以改善亚阈值斜率。相比于目前的MOS器件的较大的亚阈值斜率,较大的泄露电流,本发明优势明显,适合用于小尺寸器件领域。

    基于因果推理的半监督图像分类方法

    公开(公告)号:CN115131618A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210896650.3

    申请日:2022-07-28

    Abstract: 本发明公开了一种基于因果推理的半监督图像分类方法,主要解决现有方法依赖有标签数据、盲目学习导致模型分类性能不佳的问题。其实现方案为:1)建立结构化因果模型分析图像分类问题;2)获取包含不同数量有标签样本的半监督训练集;3)构建深度神经网络模型,并利用半监督训练集中的有标签数据对其进行有监督训练,利用半监督训练集中所有数据根据一致性准则对模型进行训练;4)基于CAM生成背景掩膜,再通过其与原图按位相乘得到新样本集;5)利用新样本集中的数据依据因果一致性准则训练得到最终分类网络模型。本发明通过减少背景信息对分类结果的影响,能够在有标签样本数量不足的情况下有效提升分类准确率。

Patent Agency Ranking