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公开(公告)号：CN118691633A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410401703.9
申请日：2024-04-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于图像处理领域，主要提出了一种能够准确计算图像梯度信息，降低计算复杂度跟硬件资源消耗的方法。通过改进传统边缘检测算法中梯度计算方式，既保留了需要传递给下游计算模块的图像梯度信息，同时改善了在硬件电路实现上的复杂度。提出如图所示的梯度检测算子来解决原有梯度信息求解方法在硬件实现上的困难，通过直接给出4个方向(0°，45°，90°，135°)的梯度求解矩阵，通过单次并行计算得出3x3邻域内八个方向上的梯度大小。最后通过非负值截断得出梯度幅度值与梯度方向。
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公开(公告)号：CN117804622A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410002763.3
申请日：2024-01-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于MOS管栅极泄漏电流的温度传感器。本发明利用MOS管的栅极泄露电流，使该电流流经工作在亚阈区的MOS管，从而产生CTAT电压。由于栅极泄露电流极小，因此保证了感温前端极低的功耗。由于将输出信号建立了与阈值电压之间的线性关系，而阈值电压在较宽的温度范围内，与温度有着强线性关系，因此在电路结构简单的同时，也保证了较宽的感温范围和较高的温度线性度。同时，本发明可扩展性较高，可根据性能需求，在不同的应用场景下采用不同的量化模块以满足相应的需求，有利于集成在芯片内部实现高精度感温。
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公开(公告)号：CN117589318A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311555413.1
申请日：2023-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路领域，涉及集成电路中的温度传感器，具体为一种基于RC振荡器的温度传感器。本发明利用具有正温特性和零温特性的电阻分别构成的RC振荡器输出两组具有一定温度特性的频率信号FN和FS，并将二者作比值得到温度线性度高的频率比值信号FS/FN，实现宽温度范围内的高精度感温；同时，由于FN和FS的频率表达式中都具有包含电源电压VDD的项，因此在作比值的过程中可以约掉，从而抵消部分电源电压波动的影响，使得该温度传感器具有较强的电源波动抑制能力；只需外部电源电压VDD的接入，而由自身产生参考基准频率和逻辑控制信号，扩大了传感器的应用范围。本发明电路结构简单的同时，在宽感温范围内实现了高精度的测量。
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公开(公告)号：CN117375610A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311317058.4
申请日：2023-10-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术领域，具体涉及一种基于噪声抵消的采样保持电路。本发明通过引入噪声抵消技术来处理采样噪声，输入信号直接连到C1的上极板，在S1开关闭合期间C1进行采样；运放输出端通过S2开关与C2下极板相连，S2开关闭合期间C2对采样噪声进行采样，C2两端通过S3开关与C1两端相连，在S3开关闭合期间C1与C2进行电荷共享；同时动态运放输出端与锁存器相连，从而将运放作为比较器的前置运放复用。本发明在减小采样电容的情况下有效抑制采样噪声的恶化，且动态运放大大降低引入运放后采保的功耗及噪声，还可设置C2＝C3使动态运放在噪声消除阶段及后续作为比较器前置运放时的增益相等，进一步提高电路的精度。
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公开(公告)号：CN116341447B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310602696.4
申请日：2023-05-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/36 , G06F115/12
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，特别涉及一种建立时间稳定的非二进制电容阵列设计方法，适用于非二进制电容式DAC的电容设计。本发明通过设定电容阵列中每一位电容权重和对应冗余量的比例k，由低位到高位逐一确定电容阵列中每一位电容的容值，并通过线性规划优化求解k和N的值，从而实现建立精度和建立时间的双选优化设计，不仅提升了非二进制电容阵列的建立速度，也避免了非二进制编码设计的盲目性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112382324B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202011260920.9
申请日：2020-11-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/419 , G06F15/78
Abstract: 本发明属于计算机架构技术领域，具体来说是涉及一种亚阈区低功耗存算一体CMOS电路结构。本发明是MOSFET工作在亚阈区时的电流‑电压指数关系，使单个MOSFEET在不同的源漏电压VDS、栅源电压VGS下，输出不同大小的源漏电流IDsub，从而实现低功耗设计的同时完成源漏电压VDS与栅源电压VGS在电流模式下的加法运算。在6T SRAM的单比特存储模块结构的基础上，增加运算模块用于运算实现，增加读取控制模块用于运算结果的选择性读取。运算模块中有电流模式单管加法器等运算单元结构，根据亚阈区下电流‑电压所具有的指数关系,通过输入特定的Vin使其输出不同大小的电流。相比于传统的SRAM存储单元，在保持单元结构面积小的同时，使得数据在存储的同时可进行运算，实现了存算一体的功能。
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公开(公告)号：CN112491411B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202011385543.1
申请日：2020-12-01
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
IPC: H03K19/21
Abstract: 一种减小与非门输入信号延时的异或门电路，包括传输门模块、非门模块、与非门模块和驱动模块，在路径1中输入信号A和B经过传输门模块和非门模块后输入与非门模块，在路径2中输入信号A和B经过驱动模块后输入与非门模块，随后与非门模块利用三个与非门实现异或门逻辑得到异或门电路的输出信号。本发明中驱动模块和传输门模块的延时可调，因此可以通过控制驱动模块和传输门模块的延时，使得输入信号A和B经过传输门模块和非门模块的延时与输入信号A和B经过驱动模块的延时尽可能一致，从而改善由于异或门电路中与非门输入信号延时造成的对输出信号脉宽和延时的影响，同时也增大了对后续电路的驱动能力。
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公开(公告)号：CN116318136A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310295758.1
申请日：2023-03-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟集成电路技术领域，特别涉及一种逐次逼近式补偿模拟前端寄生电容的电路，可应用在量化传感器信号和生物电信号采集。本发明采用全差分结构，通过逐次逼近控制逻辑模块，辅以N位二进制正反馈电容阵列CPF以逐次逼近的方式，根据模拟前端电路的稳定性，调整接入的CPF容值大小快速补偿模拟前端对地寄生电容。当给模拟前端电路施加校正信号时，由于正反馈电容CPF的弥勒效应，模拟前端电路根据接入正反馈电容CPF的容值大小判定处于稳定或不稳定的状态；从而通过检测模拟前端电路的稳定性，判断接入的正反馈电容是否合适。本发明可以大范围、快速、高精度的补偿输入节点的寄生电容，从而大幅提升采集电路输入阻抗。
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公开(公告)号：CN111464139B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010332805.1
申请日：2020-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
Abstract: 一种适用于宽摆幅全差分运算放大器的共模反馈电路，通过共模信号采集模块中两组并联的电阻电容对宽摆幅全差分运放的共模输出进行采集并注入到共模放大模块中与共模参考电压进行比较，在共模反馈模块中生成反馈调节信号反馈至宽摆幅全差分电路中第一级负载电流源管栅端，实现通过反馈使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定；同时在共模前馈模块中生成前馈调节信号连接至宽摆幅全差分电路中源随器的电流源管栅端，使宽摆幅全差分电路的输出共模稳定。本发明通过引入新的前馈通路为整体共模响应电路提供额外的零点，使宽摆幅全差分运算放大器整体相位裕度性能提升且不影响共模响应增益，在不影响输出摆幅的情况下提升了宽摆幅全差分运算放大器的稳定性。
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公开(公告)号：CN112165614B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202011044845.2
申请日：2020-09-28
Applicant: 成都微光集电科技有限公司 , 电子科技大学
IPC: H04N17/00
Abstract: 本发明公开了一种CMOS图像传感器测试系统及方法，包括中央处理节点和多个测试节点，采用类似中央加边缘的星型网络结构执行CMOS图像传感器的测试。可通过中央处理节点灵活配置每个测试节点的测试项目，且节点之间互不影响，测试效率高。通过这种分布式的测试机台的设置，将传统串行或有限并行芯片测试的方案，改进为节点无限的星型网络分布式测试的方案，避免因为传统串行机台故障导致测试中断的问题，同时可以实现不同的测试节点实现不同的测试项目，提高了测试的灵活性和测试效率。且当某个测试节点发生故障时，不会影响其它测试节点的测试过程。可以灵活加减测试节点的数量，灵活调整测试成本及测试速度，灵活调整测试任务，鲁棒性强。
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