公开(公告)号：CN113206166A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110457676.3

申请日：2021-04-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  张立龙 ,  郭浩民 ,  李亚男 ,  曹菲

IPC: H01L31/118 ,  G01T1/24

Abstract: 本发明公开一种基于双转换层的沟槽型碳化硅中子探测器，包括由下至上依次设置的背面欧姆接触电极、N+型4H‑SiC衬底、N‑型4H‑SiC外延层、正面欧姆接触电极，所述N‑型4H‑SiC外延层顶端等间距开设有若干沟槽，所述沟槽表面和所述N+型4H‑SiC衬底顶端均设置有P+掺杂区，所述沟槽内设置有双层转换层，所述双层转换层与所述P+掺杂区相接触。本发明能够实现在有限的沟槽深度内填充两种不同的转换材料，进一步的提升中子探测效率。

公开(公告)号：CN111799333A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010708501.0

申请日：2020-07-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  程有忠 ,  曹菲 ,  包梦恬 ,  于成浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开一种具有电场调制区域的UMOSFET结构，包括由下到上依次层叠设置的N+衬底、N-漂移区、电流扩展层、P-体区，P-体区上表并列设有N+源区和P+源区；还包括沟槽，沟槽贯穿N+源区、P-体区、电流扩展层，沟槽底部位于N-漂移区内；沟槽下方设有P+屏蔽层，沟槽内壁设有栅极氧化膜，栅极氧化膜内部设有栅极；P-体区下方设有电场调制区域，电场调制区域贯穿所述电流扩展层，电场调制区域底部位于N-漂移区内；电场调制区域与沟槽之间设有间隙；电场调制区域包括内嵌有P型区的N型区。本发明具有电场调制区域的UMOSFET结构相较于传统UMOSFET结构具有更高的击穿电压和更好的正向导通特性。

公开(公告)号：CN106601800B

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201611094731.2

申请日：2016-12-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  刘彦娟 ,  于成浩 ,  曹菲

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑型电压阻挡层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P‑集电区、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；其中，所述N‑型电压阻挡层和P型沟道区之间还存在一层N型电流增强层，所述的N‑型电压阻挡层与P型集电区之间存在一层N型缓冲层。该新结构背部具有一个由N‑型电压阻挡层、P‑集电区和N+衬底层组成的NPN晶体管，该NPN晶体管在器件关断过程中为N‑型电压阻挡层内存储的过量电子提供一个快速抽取的通道，减小器件的关断时间，从而减小器件的关断损耗，进而改善器件的通态压降与关断损耗之间的折衷关系。

公开(公告)号：CN111146274A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN202010002975.3

申请日：2020-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  苏芳文 ,  包梦恬 ,  于成浩 ,  曹菲 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  吕钢

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种碳化硅沟槽IGBT结构，包括N-漂移区、N-型缓冲层、P型阱区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+沟槽集电极区、沟槽集电极、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层；本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加沟槽集电极，并且在沟槽集电极上方加入P+沟槽集电极，由于新器件P+沟槽集电极区上方没有N+缓冲层，增强了正向导通时的空穴注入效率，使得新器件开启电压降低；新器件关断时，沟槽集电极提供了低电阻通道，加快了电子的抽取，进一步降低了关断损耗。

公开(公告)号：CN105845718B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201610335266.0

申请日：2016-05-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  刘彦娟 ,  曹菲 ,  于成浩

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明公开了一种4H‑SiC沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括依次层叠设置的P型集电极区，N型漂移区，N型的电流增强层，P型基体区，P型体接触区，N型发射区、发射极金属和集电极金属；还包括第一沟槽与第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽自器件的上表面穿透P型基体区终止在N型漂移区内；所述第一沟槽内填充第一氧化层和第一多晶硅，所述第二沟槽内的第二多晶硅底部被重掺杂的P型区与N型漂移区隔开，侧面被第二氧化层与P型体接触区、P型基体区及N型漂移区隔开；所述的重掺杂屏蔽区通过第二多晶硅与发射极连接。本发明减小了4H‑SiC沟槽IGBT的栅氧底部拐角的电场强度，达到降低器件的正向导通压降以减小器件损耗的目的。

公开(公告)号：CN105826391B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201610332888.8

申请日：2016-05-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  孙玲玲 ,  唐琰 ,  曹菲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种新型非对称双栅无结场效应晶体管，包括顶部栅极、底部栅极、源区、漏区、栅介质层、沟道重叠区、沟道非重叠区；其中，所述顶部栅极与底部栅极位于沟道上下位置，并且为非对称结构；顶部栅极与底部栅极存在重叠区域沟道重叠区；沟道重叠区位于沟道非重叠区之间，源区、漏区位于沟道非重叠区的两侧，顶部栅极与沟道之间、底部栅极与沟道之间分别设有栅介质层。本发明利用非对称栅极结构，在器件开启时可以拥有更小的沟道长度，而在关闭时拥有较长的沟道长度。这样的结构特点可以保证新型器件在关闭时拥有更好的关闭电流，以及更大的栅极控制能力。而在器件开启时，保证器件拥有更大的开启电流。

公开(公告)号：CN105932062A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610338199.8

申请日：2016-05-19

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  王祎帆 ,  于成浩 ,  曹菲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L29/407

Abstract: 本发明公开了一种具有埋氧场板的SOI LDMOS器件，涉及一种半导体功率器件，包括P型衬底、埋氧层、埋氧场板、顶层硅、横向多晶硅栅、源电极、漏电极、金属电极及栅氧化层；本发明的SOI LDMOS器件，具有源、漏埋氧场板，漏埋氧场板的引入屏蔽了漏区N+区域下的漂移区，使得器件的纵向电压由漏埋氧场板下的埋氧层承担。源埋氧场板的引入增强了器件的体耗尽并调制了器件的横向电场分布，从而提高了器件的击穿电压并降低了导通电阻。另外，由于埋氧场板取代了一部分埋氧层且多晶硅的热导率大于二氧化硅，所以本申请可以有效的改善器件的自加热效应。

公开(公告)号：CN105702721A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610251263.9

申请日：2016-04-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  王艳福 ,  于成浩

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明公开了一种新型非对称双栅隧穿场效应晶体管，由顶部栅电极、底部栅电极、源电极、漏电极、p型重掺杂pocket区、沟道区、第一n型重掺杂区、第二n型重掺杂区、第一高K栅介质材料、第二高K栅介质材料、二氧化硅氧化层组成。本发明利用非对称栅极结构将隧穿器件陡峭的亚阈值摆幅和无结器件的较大开态电流优点相结合，当该新器件工作在亚阈值区时主要是无结器件工作，这样可以拥有更好的亚阈值特性，比如陡峭的亚阈值摆幅，而在开态时主要是无结器件工作，这样可以拥有更大的驱动电流。综合两种状态的变化，新型器件可以有效地提高器件的基本电学特性。

公开(公告)号：CN105679821A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610250456.2

申请日：2016-04-20

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  曹菲 ,  王艳福 ,  于成浩

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1029

Abstract: 本发明公开了一种超薄沟道凹槽隧穿场效应晶体管,由栅极、源区、漏区、第一沟道区、第二沟道区、栅介质层、第一隔离层、第二隔离层以及埋氧层；其中，所述栅极与栅介质层位于沟道区之上位置，栅极两侧为隔离层。该新结构具有一个超薄的沟道这样可以增强栅极和沟道的耦合，从而增强栅极的控制能力进而增加器件的隧穿电流。该结构的另一个特征就是将沟道的本征区(低掺杂区)延伸到了漏极区。总之，该结构器件相对于传统的隧穿晶体管在亚阈值摆幅、开关电流比等电学特性以及稳定性方面都有较明显改善。

公开(公告)号：CN113871482B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202111147936.3

申请日：2021-09-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王颖 ,  杨洋 ,  李兴冀 ,  杨剑群 ,  曹菲 ,  包梦恬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种用于提高抗单粒子烧毁效应的LDMOS器件，属于功率半导体器件领域，包括，衬底，衬底上形成有第一碳化硅埋层，其中，第一碳化硅埋层为N型碳化硅埋层；有缘顶层，有缘顶层形成在第一碳化硅埋层上，其中，有缘顶层包括源区、阱区、漏极缓冲区、漏区以及漂移区；器件顶层，器件顶层形成在有缘顶层表面，其中，器件顶层包括源极、漏极、栅氧化层、栅极、场氧化层、场板；本发明有效的减少漏极电子的收集，降低漏极缓冲电流，防止器件发生单粒子烧毁效应；同时P型碳化硅埋层的加入会调节顶层硅的表面电场，降低漂移区的电场峰值，使漂移区产生的电子空穴对相对减少，漏极和源极的收集量减少，降低了器件发生单粒子烧毁的几率。