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公开(公告)号：CN117460379A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311400540.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种透明电极及其制备方法、钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池。一种透明电极的制备方法，透明电极用于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池，透明电极的制备方法包括如下步骤：首先采用反应等离子体沉积(RPD)制备透明导电氧化物薄膜，其次通过退火处理获得高质量透明电极。上述用于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池的透明电极的制备方法，由于采用离子能量较低的RPD工艺，减少了对钙钛矿层的损伤，所以在制备叠层电池时可免去制备钙钛矿保护层的工艺流程，降低制备成本，有利于钙钛矿/晶硅异质结叠层太阳电池的商业化推广。
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公开(公告)号：CN116322084A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211556969.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种掺杂离子盐的栅调控横向神经形态器件及其制备方法，整个器件包括：衬底、电解质功能层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅和源漏电极，所述电解质功能层设置于衬底上，电荷捕获层设置于电解质功能层背离衬底的一面，有机半导体层位于电荷捕获层背离电解质功能层的一面；有机半导体层隔开，上方分别设有水平栅和源漏电极，位于源漏电极下方的半导体作为沟道层，位于水平栅下方的半导体作为浮栅层。本发明神经形态器件具有良好的电学性能，在空气环境中相比氢离子电解质器件具有更高的稳定性；同时器件具有显著的光响应，在负栅压作用下存在明显的回滞现象。本发明器件工艺简单，成本低，可以在神经形态电路中广泛应用。
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公开(公告)号：CN115915773A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211534933.X
申请日：2022-12-02
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于有机半导体领域，公开了一种电导可调的电双层效应神经形态器件及其制备方法，电导可调的电双层效应神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，并五苯层，栅极，源极、漏极；所述电解质层，形成于所述衬底正上方；所述有机半导体层，以间隔的形式形成于所述电解质层的正上方；所述栅极，源极和漏极，以共面的形式分别形成于隔开的有机半导体层的正上方，其中所述源极和所述漏极中间留有沟道。本发明利用有机酸混掺在壳聚糖中，借助有机酸使壳聚糖质子化的作用以及电解质层在栅压作用下形成的电双层效应，能够灵活调控器件电导，且电学性能稳定，有望在类脑芯片得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN107394043B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710494514.0
申请日：2017-06-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制备柔性光电转换装置的方法及按照此方法制备的柔性光电转换装置。本发明的柔性光电转换装置重量轻、可弯曲、可广泛应用于曲面环境。而且，本发明中光电转换装置的各功能层都可在低温环境中制备，无需高温加热，对柔性衬底无损伤，有利于简化工艺流程、降低成本、提高电池效率；此外，石墨烯/ITO薄膜作为复合透明光电极，电阻小、透光性好、具有良好的柔性，并具有很好的稳定性。
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公开(公告)号：CN109323781A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810952194.3
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种新型的自供能的柔性压力传感器阵列制备方法，其可以利用交叉电极形成电容式传感器阵列，并将太阳能电池柔性化集成到传感器阵列上，集成太阳能之后的传感器性能基本保持不变，在传感器和太阳能电池中间还增加了一个柔性电容器。本发明实施例的方法制备的传感器阵列可以在光照下正常工作，并且能够侦测出最小1Pa的压强，具有很好的线性度。并且该方法简单操作，成本较低，适合大规模生产化的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109319170A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810952145.X
申请日：2018-08-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造月球车自供能压电轮胎的方法，该方法是通过在轮胎外围制备一层柔性钙钛矿压电层，通过钙钛矿压电来为月球车提供电源，通过在轮胎侧面胎盘集成太阳能电池来辅助提供电源。本发明的实例中，轮胎在滚动过程中受重力作用不断产生极化提供电源，且轮胎的循环性和持久性都很高，符合太空作业的标准。将太阳能电池集成在胎盘上合理利用了空间，辅以提供电源。且此方法制备工艺操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN108196129A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810012276.X
申请日：2018-01-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/2605
Abstract: 本发明实施例公开了一种电容测量装置，其利用电压比较器构成的LC振荡器，利用电压比较器LM393393芯片的应用特点，把电容的大小转变成LM393输出频率的大小，进而可以通过测量LC震荡回路的频率而获得被测电容的电容值。本方案的精度较高，硬件设计和软件设计也相对简单。
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公开(公告)号：CN105510400A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510856298.0
申请日：2015-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/12
CPC classification number: G01N27/12 , G01N27/125
Abstract: 本发明涉及新能源敏感材料，具体涉及一种基于碳纳米管和钯复合薄膜的氢气传感器，从内向外依次包括P型硅基底(4)、碳纳米管(3)、金属钯薄膜(2)和两个金属电极(1)，其中所述碳纳米管(3)的排布方式为分纵向和横向均匀排布，所述两金属电极(1)均为条形且相互对称的设置在金属钯薄膜(2)上表面。本发明采用的纹碳纳米管可以有效的改善金属钯膜的吸氢性能，减少氢气传感器的响应时间、提高氢气传感器的响应度；同时，器件的选择性也得到保证；此外，本发明可以在室温条件下工作；并且，器件制备工艺简单，易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN103367476B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210082258.1
申请日：2012-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种N+/N型黑硅新结构。该结构以黑硅材料为光敏吸收层，梳状电极和平面金属电极分别为上、下电极。利用飞秒激光脉冲轰击或湿法刻蚀结合离子注入的方法制备的N+型黑硅光敏吸收层能够吸收紫外-可见光-近红外波段的光波，比传统硅探测器具有更高的光吸收率和更宽的吸收光谱。克服了传统硅在大于1100nm波长范围光吸收率低、响应率低的问题。该结构的在250nm—2500nm响应率范围为40—60A/W，信噪比范围为20—22dB。该发明为高响应度宽光谱光电器件的研究奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN105136870A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510605927.2
申请日：2015-09-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造氢气传感器的方法及其氢气传感器，包括：在硅衬底的第一表面上形成铝层，并对铝层进行阳极氧化处理形成具有多个小孔的氧化铝层；在小孔内壁上形成碳原子层；在氧化铝层上形成上电极；在硅衬底的第二表面上形成下电极。本发明的实施例中的氢气传感器具有响应速度快、重复性好、工作温度低、结构简单、体积小等优点，在室温下对0.05%-2%体积浓度的氢气敏感。此外，本发明实施例的制造氢气传感器的方法工艺简单，可重复性好。
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