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公开(公告)号：CN102460651B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201080025426.2
申请日：2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳，其在移除之前及期间，较有效地将累积电荷自基板移除。当前，起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳，其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取，可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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公开(公告)号：CN101688295A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880016940.2
申请日：2008-03-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: C23C14/50 , H01J37/20 , H01L21/683 , H01L21/687 , H02N13/00
CPC classification number: H02N13/00 , H01J37/20 , H01J2237/2007 , H01J2237/31701 , H01L21/6833
Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。
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公开(公告)号：CN112640025B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
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公开(公告)号：CN105308735B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480035023.4
申请日：2014-04-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种低放射率静电卡盘和具有其的离子植入系统，静电卡盘包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。
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公开(公告)号：CN101689529A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021661.5
申请日：2008-06-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68707
Abstract: 本发明揭示了处理基板的技术。在一个特定例示性实施例中，所述技术可实现为基板支撑件。基板支撑件可包括安装部分。基板支撑件亦可包括自安装部分延伸的壁，其中壁可形成大体上封闭的区域，且可在末端具有接触表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107533997B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201680014843.4
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙大伟 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂芬·M·恩尔拉 , 岱尔·K·史东 , 留德米拉·史东
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请揭露一种工件固持加热设备，其可用于在处理期间增进工件的温度均匀性。所述设备包含具有分开控制的边缘加热器的压板，边缘加热器能够独立地加热压板的外边缘。以此方式，可在压板的外边缘供应额外热量，从而帮助维持在全部压板上的恒定温度。此边缘加热器可安置于压板的外表面上，或在某些实施例中，可嵌入于压板中。在某些实施例中，将边缘加热器以及主要加热元件安置在两个不同平面中，其中边缘加热器比主要加热元件安置得更靠近压板的顶表面。
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公开(公告)号：CN106233451A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580006538.6
申请日：2015-01-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司 , 安堤格里斯公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/205
Abstract: 在一个实施例中，一种制造静电夹的方法包含：形成绝缘体主体；在所述绝缘体主体上形成电极；以及在所述电极上沉积层堆叠，所述层堆叠包括使用原子层沉积(ALD)而沉积的氧化铝层。
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公开(公告)号：CN103339721A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280007039.5
申请日：2012-02-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831
Abstract: 揭示在卸除前更有效从衬底去除累积电荷的静电夹钳。目前，升降销与接地销是植入后用来从衬底去除电荷的唯一机制。本揭示描述一种静电夹盘，其在顶部介电表面中具有嵌入的导电区，例如在密封环中的环形导电区。因此，不论松开期间衬底的方向为何，衬底的至少一部分会包含在工件支撑件的介电层上的导电区。此导电区可通过使用介电层中的导电穿孔而接地。在一些实施例中，这些导电穿孔是用来将气体供应至衬底背面的流体导管。
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公开(公告)号：CN102460651A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080025426.2
申请日：2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳，其在移除之前及期间，较有效地将累积电荷自基板移除。当前，起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳，其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取，可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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公开(公告)号：CN112640025A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种半导体处理设备，其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中，离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。
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