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公开(公告)号：CN111108580B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201880055977.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 一种用于离子植入的装置、系统及方法，所述用于离子植入的装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
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公开(公告)号：CN111108580A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880055977.X
申请日：2018-08-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
Abstract: 一种装置可包括：电极系统，所述电极系统包括多个电极以将离子束从进入开孔导向到出射开孔；以及电压电源，用以对所述电极系统施加多个电压。所述电极系统可包括出射电极总成，其中所述出射电极总成包括第一出射电极及第二出射电极，所述第二出射电极通过电极间隙与所述第一出射电极分隔开。所述第一出射电极及所述第二出射电极能够相对于彼此移动，以在间隙范围内改变所述电极间隙的大小。
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公开(公告)号：CN112640025B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110431650A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880018758.4
申请日：2018-03-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 詹姆斯·艾伦·皮克斯利
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/12
Abstract: 本文提供通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积的方式。在一种方式中，导电束光学器件可为具有沿离子束线设置的多个导电束光学器件的静电过滤器的一部分，其中至少一个导电束光学器件包括形成在外表面中的多个沟槽。在一些方式中，可将电源供应器设置成与所述多个导电束光学器件连通，其中电源供应器被配置成向所述多个导电束光学器件供应电压及电流。所述多个沟槽可沿导电束光学器件的长度设置成螺旋形图案，和/或平行于导电束光学器件的纵轴进行取向。
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公开(公告)号：CN110431650B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880018758.4
申请日：2018-03-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 詹姆斯·艾伦·皮克斯利
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/12
Abstract: 本发明提供一种离子植入系统及其方法以及静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本发明通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。
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公开(公告)号：CN112640025A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980057342.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 詹姆斯·艾伦·皮克斯利 , 艾立克·赫尔曼森 , 菲力浦·莱恩 , 留德米拉·史东 , 汤玛士·史泰西
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开一种半导体处理设备，其包括具有导电或不导电多孔材料的一个或多个组件。在一些实施例中，离子植入机可包括用于将离子束引导到目标的多个束线组件以及沿着所述多个束线组件中的至少一者的表面设置的多孔材料。
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公开(公告)号：CN208622685U
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201821206659.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 弗莱彻·伊恩·波特IV , 菲力浦·莱恩 , 基斯·费恩隆德
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开的实施例包括一种处理装置及一种用于工件边缘处理的固定位置掩模。在一些实施例中，掩模直接耦合到多轴旋转手臂的托架，其中所述掩模能够与台板相邻地定位以覆盖工件的内侧部分并使所述工件的仅外圆周边缘暴露于离子处理。所述掩模可包括界定平板区段及安装结构的第一侧及第二侧。所述掩模还可包括从所述第一侧及所述第二侧中的至少一者延伸的加强特征。所述安装结构可从所述平板区段延伸，其中所述安装结构耦合到所述托架。在一些实施例中，所述台板在离子处理期间被允许相对于所述托架旋转。在一些实施例中，所述掩模的所述平板区段是不具有任何开口的实心结构。
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公开(公告)号：CN208111395U
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201820390446.3
申请日：2018-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本实用新型提供一种离子植入系统和静电过滤器的导电束光学器件。离子植入系统包括静电过滤器和电源供应器。静电过滤器位于离子植入系统的腔室内，且静电过滤器包括导电束光学器件，其中导电束光学器件具有形成在外表面中的多个沟槽。电源供应器与静电过滤器连通，且电源供应器被配置成向导电束光学器件供应电压及电流。本实用新型通过在导电束光学器件上提供沟槽或表面特征来增大导电束光学器件的表面积。
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