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公开(公告)号:CN102460651B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201080025426.2
申请日:2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳,其在移除之前及期间,较有效地将累积电荷自基板移除。当前,起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳,其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取,可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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公开(公告)号:CN103765545A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201280040083.6
申请日:2012-07-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/241 , H01J27/022 , H01J37/3171 , H01J2237/0203 , H01J2237/0206 , H02H9/02
Abstract: 本发明揭示一种与离子源组合件一起使用的浪涌保护系统。所述系统包括与热离子二极管或热离子三极管以及离子源组合件串联耦合的高压电源。所述高压电源供应器封闭在压力槽中并且驱动所述离子源组合件。所述热离子二极管或三极管包括安置在离子源组合件罩壳与高压电源供应器的输出端之间的绝缘管并且利用现有离子源组合件组件来限制在所述离子源组合件的电弧故障期间对所述电源供应器的破坏。
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公开(公告)号:CN104335320B
公开(公告)日:2017-10-27
申请号:CN201380026069.5
申请日:2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0225 , H01J2237/2007
Abstract: 一种离子植入器包括:压板,具有夹持表面,夹持表面经配置以支撑用于离子处理的晶圆,压板还具有在夹持表面下的至少一对电极;夹持电源,经配置以提供交流信号及代表交流信号的感测信号的,交流信号被提供至至少一对电极;以及控制器。当无晶圆被夹至夹持表面时,控制器经配置以接收来自夹持电源的感测信号。控制器进一步经配置以监控感测信号,并判断感测信号是否代表夹持表面上的沉积物超过预定的沉积物临界。
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公开(公告)号:CN104335320A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:CN201380026069.5
申请日:2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/20 , H01J2237/0225 , H01J2237/2007
Abstract: 一种离子植入器包括:压板,具有夹持表面,夹持表面经配置以支撑用于离子处理的晶圆,压板还具有在夹持表面下的至少一对电极;夹持电源,经配置以提供交流信号及代表交流信号的感测信号的,交流信号被提供至至少一对电极;以及控制器。当无晶圆被夹至夹持表面时,控制器经配置以接收来自夹持电源的感测信号。控制器进一步经配置以监控感测信号,并判断感测信号是否代表夹持表面上的沉积物超过预定的沉积物临界。
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公开(公告)号:CN102460651A
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN201080025426.2
申请日:2010-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/68742 , Y10T29/49998 , Y10T279/23
Abstract: 本发明揭示一种静电卡钳,其在移除之前及期间,较有效地将累积电荷自基板移除。当前,起模顶杆及接地插针为用于在植入之后将电荷自基板移除的仅有机构。本发明描述一种卡钳,其具有接地的较多额外低电阻路径中之一者。此等额外导管允许累积的电荷在将所述基板自所述卡钳移除之前及期间被耗散。藉由提供自基板114的背侧表面的充分电荷汲取,可减少基板粘住卡钳的问题。此举导致基板破裂的相对减少。
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