公开(公告)号：CN111566781B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201880085850.2

申请日：2018-12-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉杰许·普拉撒度 ,  詹宁 ,  刘芷宇 ,  詹姆士·库纳耶 ,  沈圭河 ,  李光德 ,  约翰·李·克洛克 ,  艾瑞克·J·伯格曼 ,  特伦斯·李 ,  哈里·S·怀特塞尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 一种牺牲性掩模的去除方法可包含在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料。牺牲性掩模的去除方法可更包含蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构，将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中，以及在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。

公开(公告)号：CN111566781A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880085850.2

申请日：2018-12-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉杰许·普拉撒度 ,  詹宁 ,  刘芷宇 ,  詹姆士·库纳耶 ,  沈圭河 ,  李光德 ,  约翰·李·克洛克 ,  艾瑞克·J·伯格曼 ,  特伦斯·李 ,  哈里·S·怀特塞尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 一种方法可包含在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料。方法可更包含蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构，将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中，以及在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。

公开(公告)号：CN101138080A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007513.9

申请日：2006-03-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·D·纽南 ,  安东尼·雷诺 ,  艾伦·升 ,  保罗·墨菲 ,  沈圭河 ,  查理斯·泰欧多尔赤克 ,  史蒂芬·恩尔拉 ,  萨缪尔·巴思凯 ,  罗伦斯·费卡拉 ,  理查德·J·赫尔特

IPC: H01L21/68 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317

Abstract: 一种基板遮罩装置，包括：一平板组合(assembly)，其支撑着一处理用的基板；一光罩，其具有一种孔径；一保持机构，其使光罩保持在遮罩位置中；以及一定位机构，其改变此光罩和基板的相对位置，以经由光罩中的孔径来对基板的不同区域进行曝光。此装置可另外包含一光罩载入机构，其使光罩转移至遮罩位置和非遮罩位置且在此遮罩位置和非遮罩位置之间移动。处理过程包括以不同的植入参数值来对基板的不同区域进行离子植入。在其它实施例中，可由基板前方的光罩、光闸或离子束修正器来选取此基板的待处理的区域。

公开(公告)号：CN108475679A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680074925.8

申请日：2016-11-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 赛门·罗芙尔 ,  阿宾德·库马尔 ,  崔斯坦·马 ,  沈圭河 ,  约翰·哈塔拉 ,  丝特芬·舍曼

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L27/10826 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28167 ,  H01L27/10879 ,  H01L29/42368

Abstract: 本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。

公开(公告)号：CN102511076A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201080042566.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  本杰明·哥伦柏 ,  什玫尔·辛诺盖凡岚 ,  沈圭河 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: 揭示一种执行袋状或环状植入的经改良的方法。由所述环状植入造成的损伤及缺陷的量藉由增加漏电流、降低噪声容限且增加最小栅极电压而使半导体装置的效能降级。在冷温下执行环状或袋状植入，其减少了对结晶结构造成的损伤且改良晶体的非晶化。冷温的使用亦允许将诸如硼或磷等较轻元素用于所述环状植入。