公开(公告)号：CN102511076A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201080042566.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  本杰明·哥伦柏 ,  什玫尔·辛诺盖凡岚 ,  沈圭河 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: 揭示一种执行袋状或环状植入的经改良的方法。由所述环状植入造成的损伤及缺陷的量藉由增加漏电流、降低噪声容限且增加最小栅极电压而使半导体装置的效能降级。在冷温下执行环状或袋状植入，其减少了对结晶结构造成的损伤且改良晶体的非晶化。冷温的使用亦允许将诸如硼或磷等较轻元素用于所述环状植入。