公开(公告)号：CN102203944B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN200980142556.1

申请日：2009-10-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在感光装置的制造期间，通过已改善的物种的植入来降低感光装置内的暗电流。暗电流可经由光二极管装置中的缺陷来引起，或于制造期间使用退火、植入或其他制程步骤来引起。经由非晶化光二极管范围中的工作部件，可消除大量的缺陷，从而消除此暗电流的原因。暗电流也可经由相邻STI所感应的应力来引起，其中衬与填充材料所产生的应力会加重工作部件中的缺陷。经由非晶化沟渠的侧壁与底部表面，可消除于蚀刻期间所产生的缺陷。此缺陷中的降低也可减少感光装置中的暗电流。

公开(公告)号：CN102511076A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201080042566.0

申请日：2010-08-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  本杰明·哥伦柏 ,  什玫尔·辛诺盖凡岚 ,  沈圭河 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/223 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

Abstract: 揭示一种执行袋状或环状植入的经改良的方法。由所述环状植入造成的损伤及缺陷的量藉由增加漏电流、降低噪声容限且增加最小栅极电压而使半导体装置的效能降级。在冷温下执行环状或袋状植入，其减少了对结晶结构造成的损伤且改良晶体的非晶化。冷温的使用亦允许将诸如硼或磷等较轻元素用于所述环状植入。

公开(公告)号：CN102203944A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980142556.1

申请日：2009-10-29

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 迪帕克·瑞曼帕 ,  丹尼斯·罗迪尔

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/042

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L21/76237 ,  H01L27/14683 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在感光装置的制造期间，通过已改善的物种的植入来降低感光装置内的暗电流。暗电流可经由光二极管装置中的缺陷来引起，或于制造期间使用退火、植入或其他制程步骤来引起。经由非晶化光二极管范围中的工作部件，可消除大量的缺陷，从而消除此暗电流的原因。暗电流也可经由相邻STI所感应的应力来引起，其中衬与填充材料所产生的应力会加重工作部件中的缺陷。经由非晶化沟渠的侧壁与底部表面，可消除于蚀刻期间所产生的缺陷。此缺陷中的降低也可减少感光装置中的暗电流。