公开(公告)号：CN111566781B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201880085850.2

申请日：2018-12-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉杰许·普拉撒度 ,  詹宁 ,  刘芷宇 ,  詹姆士·库纳耶 ,  沈圭河 ,  李光德 ,  约翰·李·克洛克 ,  艾瑞克·J·伯格曼 ,  特伦斯·李 ,  哈里·S·怀特塞尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 一种牺牲性掩模的去除方法可包含在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料。牺牲性掩模的去除方法可更包含蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构，将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中，以及在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。

公开(公告)号：CN111566781A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880085850.2

申请日：2018-12-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉杰许·普拉撒度 ,  詹宁 ,  刘芷宇 ,  詹姆士·库纳耶 ,  沈圭河 ,  李光德 ,  约翰·李·克洛克 ,  艾瑞克·J·伯格曼 ,  特伦斯·李 ,  哈里·S·怀特塞尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 一种方法可包含在器件结构上形成牺牲性掩模，牺牲性掩模包括碳基材料。方法可更包含蚀刻牺牲性掩模的暴露区中的存储器结构，将蚀刻增强物质植入到牺牲性掩模中，以及在小于350℃的蚀刻温度下执行湿式蚀刻以选择性地去除牺牲性掩模。