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公开(公告)号：CN105556621B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201480051203.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC classification number: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种超导带及其形成方法。在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。本发明的超导带性质优良，能够在故障条件期间抵抗烧毁。
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公开(公告)号：CN105849924A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070509.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/025 , C23C14/5806 , H01B12/02 , H01B13/0016 , H01B13/0036 , H01L39/143 , H01L39/2464
Abstract: 一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。
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公开(公告)号：CN108365082A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810151530.4
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC classification number: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种超导带及其形成方法。在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。本发明的超导带性质优良，能够在故障条件期间抵抗烧毁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101443900A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200780005964.3
申请日：2007-02-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 理查·默卡 , 艾力克斯恩德·S·培尔 , 保罗·墨菲
IPC: H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 一种静电卡盘包括具有至少一区域的介电层、与至少一区域相关联的电极以及经组态成向电极提供交流电压信号的交流电源。介电层的介电特性经组态成在将交流电压信号施加至电极时允许在介电层周围发生电荷迁移来产生静电力以将工件吸引至介电层。
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公开(公告)号：CN101138080A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200680007513.9
申请日：2006-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·D·纽南 , 安东尼·雷诺 , 艾伦·升 , 保罗·墨菲 , 沈圭河 , 查理斯·泰欧多尔赤克 , 史蒂芬·恩尔拉 , 萨缪尔·巴思凯 , 罗伦斯·费卡拉 , 理查德·J·赫尔特
IPC: H01L21/68 , H01J37/20 , H01J37/317
Abstract: 一种基板遮罩装置，包括：一平板组合(assembly)，其支撑着一处理用的基板；一光罩，其具有一种孔径；一保持机构，其使光罩保持在遮罩位置中；以及一定位机构，其改变此光罩和基板的相对位置，以经由光罩中的孔径来对基板的不同区域进行曝光。此装置可另外包含一光罩载入机构，其使光罩转移至遮罩位置和非遮罩位置且在此遮罩位置和非遮罩位置之间移动。处理过程包括以不同的植入参数值来对基板的不同区域进行离子植入。在其它实施例中，可由基板前方的光罩、光闸或离子束修正器来选取此基板的待处理的区域。
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公开(公告)号：CN105849888A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01B12/06 , H01B13/30 , H01L39/143 , H01L39/16 , H01L39/2458 , H01L39/2461 , H01L39/2464 , H01L39/249 , H02H9/023
Abstract: 一种积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述中间层上的定向超导体层，和安置于所述定向超导体层的一部分上的导电带。所述导电带可在其下方界定所述定向超导体层的超导体区，和邻近于所述超导体区的所述定向超导体层的暴露区。
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公开(公告)号：CN105556621A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051203.1
申请日：2014-08-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 康妮·P·王 , 保罗·沙利文 , 保罗·墨菲 , 可赛格·D·特拉斯狄克 , 巴拉特哇·雷马克利斯那
CPC classification number: H01L39/248 , H01B12/06 , H01L39/16 , Y10T428/12618 , Y10T428/31678
Abstract: 在一实施例中，超导带包括：基底，其包括多个层；定向超导层，位在基底上；以及合金涂层，位在超导层上，合金涂层包括一层或更多层的金属层，其中至少一层金属层包括金属合金。
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公开(公告)号：CN105849888B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201480071549.8
申请日：2014-11-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种积体超导体装置及其制造方法。所述积体超导体装置可包含衬底基底，和安置于所述衬底基底上且包括较佳结晶定向的第一中间层。所述积体超导体装置可进一步包含安置于所述第一中间层上的第一定向超导体层，和安置于所述第一定向超导体层的一部分上的第一导电带。所述第一导电带可在其下方界定所述第一定向超导体层的第一超导体区，和邻近于所述第一超导体区的所述第一定向超导体层的第一暴露区。本申请的积体超导体装置制造的超导体结构类似于带材但直接形成于大面积衬底上，克服与独立式超导体带材的制造相关联的复杂性。
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