公开(公告)号：CN101563752A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780043822.6

申请日：2007-10-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·D·纽南 ,  布雷特·W·亚当斯

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31711 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种使用临场光罩匹配离子注入装置的性能的技术。在一特定实施例中，在基板的一部份上执行离子注入，同时屏蔽剩余部份。再将该基板移动到第二注入器工具。随后使用该第二工具在同一基板的另一部份上执行注入，同时光罩覆盖包括第一部份在内的基板的剩余部份。在第二注入工艺之后，对在第一和第二部份上制造的半导体装置执行参数测试，以便确定这些半导体装置的一个或多个性能特征是否存在变化。如果发现变化，则建议对注入工具之一的一个或多个操作参数进行改变，以便降低制造工厂中的注入器的性能变化。

公开(公告)号：CN101400824A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008808.2

申请日：2007-02-07

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·D·纽南 ,  由里·艾洛克海

IPC: C23C18/28 ,  C23C18/30 ,  H01L29/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/48

CPC classification number: C23C18/1608 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/32 ,  C23C18/38 ,  C23C18/48 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879

Abstract: 本发明公开了一种使用离子注入表面改性来催化无电沉积以沉积金属膜(150)的技术。在一个特定示范性实施例中，此技术可被实现为一种用于沉积金属膜(150)的方法。此方法可包括在结构(100)上沉积催化材料，其中此结构(100)包括衬底(110)、在衬底(110)上的介电层(120)和在介电层(120)上的抗蚀剂层(130)，其中介电层(120)和抗蚀剂层(130)具有一或多个开口(140)。此方法还可包括剥除抗蚀剂层(130)。此方法还可包括在此结构(100)的一或多个开口(140)中的催化材料上沉积金属膜(150)，以填充开口(140)。

公开(公告)号：CN101138080A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200680007513.9

申请日：2006-03-09

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 彼得·D·纽南 ,  安东尼·雷诺 ,  艾伦·升 ,  保罗·墨菲 ,  沈圭河 ,  查理斯·泰欧多尔赤克 ,  史蒂芬·恩尔拉 ,  萨缪尔·巴思凯 ,  罗伦斯·费卡拉 ,  理查德·J·赫尔特

IPC: H01L21/68 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317

Abstract: 一种基板遮罩装置，包括：一平板组合(assembly)，其支撑着一处理用的基板；一光罩，其具有一种孔径；一保持机构，其使光罩保持在遮罩位置中；以及一定位机构，其改变此光罩和基板的相对位置，以经由光罩中的孔径来对基板的不同区域进行曝光。此装置可另外包含一光罩载入机构，其使光罩转移至遮罩位置和非遮罩位置且在此遮罩位置和非遮罩位置之间移动。处理过程包括以不同的植入参数值来对基板的不同区域进行离子植入。在其它实施例中，可由基板前方的光罩、光闸或离子束修正器来选取此基板的待处理的区域。