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公开(公告)号：CN107636196A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680027712.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 威廉·戴维斯·李 , 史费特那·B·瑞都凡诺
Abstract: 一种装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。
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公开(公告)号：CN101322217A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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公开(公告)号：CN104285273B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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公开(公告)号：CN101322216A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045225.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种在离子植入机中提供成段的静电透镜的技术。在一特定例示性实施例中，可将技术实现为用于离子植入机中的静电透镜。透镜可包含以第一电压电位偏压的入口电极，其中离子束经由入口电极进入静电透镜。透镜亦可包含以第二电压电位偏压的出口电极，其中离子束经由出口电极离开静电透镜。透镜可更包含位于入口电极与出口电极之间的抑制电极，抑制电极包含经独立地偏压以操纵离子束的能量以及形状的多个段。
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公开(公告)号：CN107408487B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201680015153.0
申请日：2016-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 史费特那·B·瑞都凡诺 , 威廉·戴维斯·李
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
Abstract: 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。本发明的等离子体处理设备允许多种多样的离子束角度并且因此允许多种多样的入射角度，且同时还能保持良好角展度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101322217B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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公开(公告)号：CN101322216B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200680045225.2
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种在离子植入机中提供成段的静电透镜的技术。在一特定例示性实施例中，可将技术实现为用于离子植入机中的静电透镜。透镜可包含以第一电压电位偏压的入口电极，其中离子束经由入口电极进入静电透镜。透镜亦可包含以第二电压电位偏压的出口电极，其中离子束经由出口电极离开静电透镜。透镜可更包含位于入口电极与出口电极之间的抑制电极，抑制电极包含一上部分和一下部分，所述上部分和所述下部分经配置而使所述离子束在所述上部分和所述下部分之间被传送，其中所述上部分和所述下部分之中的至少一个包含经独立地偏压以操纵离子束的能量以及形状的多个段。
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公开(公告)号：CN107636196B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680027712.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 威廉·戴维斯·李 , 史费特那·B·瑞都凡诺
Abstract: 一种处理装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。本发明的处理装置可在一次基板扫描中于基板上沉积多个膜层，且可邻近等离子体室来提供基板。
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公开(公告)号：CN107408487A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015153.0
申请日：2016-03-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 史费特那·B·瑞都凡诺 , 威廉·戴维斯·李
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32697
Abstract: 本发明公开了一种用于形成植入到衬底中用的倾角离子束的设备。所述设备包含形成等离子体的等离子体室。提取孔口包含多个可旋转板。通过由多个可旋转板限定的孔口提取离子细束。这些板的旋转程度决定了提取离子束的提取角。这些板可以形成为多种不同的形状，这样可以增大可实现的最大提取角。另外，电极可以安置在板附近以影响提取角。
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公开(公告)号：CN104285273A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 处理基板的技术可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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