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公开(公告)号：CN109923246B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备及方法。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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公开(公告)号：CN106133208B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。所述装置用以容纳或限制热流，所以表面的热流会受规范。
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公开(公告)号：CN106458687B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580024930.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 彼德·L·凯勒曼 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
IPC: C03B27/012 , C03B23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于处理熔体的设备及方法与控制熔体内的热流的系统。所述用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚，其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器，所述浸没式加热器包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体，其中所述加热元件不接触所述熔体。所述加热元件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处，所述第二距离小于所述第一距离。
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公开(公告)号：CN109923246A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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公开(公告)号：CN107815728A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711069158.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明提供一种使熔体成长为结芯片的结晶器及方法。结晶器可包括致冷面面对于熔体的暴露面的致冷块，致冷块被设置以用于在致冷面产生致冷块温度，且致冷块温度低于在熔体的暴露面的熔体温度。所述结晶器还可包括配置于致冷块内且被配置以用于传送气体喷射至暴露面的喷嘴，其中气体喷射以及致冷块互操作以产生处理区，所述处理区以第一散热速率移除来自于暴露面的热。第一散热速率大于处理区之外的外部区域中的暴露面的第二散热速率。使熔体成长为结芯片的结晶器及方法中，使用结晶器以提供气体喷射以在熔体的表面以及致冷块之间形成对流区，有助于高速散热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106796203A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055518.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明涉及一种薄片形成设备，薄片形成设备包含用于固持材料熔体以及置于熔体内的固体薄片的坩埚、配置于所述坩埚上方用以自所述熔体形成薄片的结晶器和邻近所述结晶器配置的超声波测量系统，所述超声波测量系统包括至少一个超声波测量装置，其包含耦合到超声波换能器的波导以导引超声波脉冲穿过所述熔体。
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公开(公告)号：CN103046116B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310010356.9
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN103088404A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310009504.5
申请日：2009-06-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 菲德梨克·卡尔森 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 罗伯特·J·米歇尔
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B29/60
Abstract: 一种形成板的装置。可自熔体形成无错位板。使用冷却平板在材料的熔体上形成具有第一宽度的所述材料的板。此板具有错位。相对于所述冷却平板而输送所述板，且所述错位迁移至所述板的边缘。所述板的所述第一宽度藉由所述冷却平板而增加至第二宽度。所述板在所述第二宽度处不具有错位。在一种情况下，所述冷却平板可具有具两个不同宽度的形状。在另一情况下，所述冷却平板可具有在不同温度下操作的区段，以增加所述板的宽度。所述板可相对于所述冷却平板而被拉动或流动。
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公开(公告)号：CN102334180A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200980157578.5
申请日：2009-10-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 史费特那·瑞都凡诺 , 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/1471 , H01J37/12 , H01J37/3171
Abstract: 一种独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可实现为一独立控制离子束的偏移、减速与聚焦的装置。此装置可包括一电极结构，此电极结构包括位于离子束上方的一组上电极与位于离子束下方的一组下电极。此组上电极与此组下电极是以对称于离子束的中央射线轨迹而定位。此组上电极与此组下电极之间的电位差亦可随着离子束的中央射线轨迹而改变，藉以反映中央射线轨迹上每一点的离子束能量，以独立地控制离子束偏移、减速与聚焦。
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公开(公告)号：CN107075715B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201580055969.1
申请日：2015-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种控制在熔体成长的结晶片的厚度的装置、方法及系统。该装置可包括坩埚用以容纳熔体，所述熔体具有与所述坩埚的底面相隔第一距离的暴露表面，壳体包含不对所述熔体造成污染的材料，所述壳体包括多个侧壁并包括顶部，所述多个侧壁及所述顶部用以接触所述熔体，以及多个加热元件，与所述熔体隔绝并沿与所述结晶片的拉动方向垂直的横向方向安置，所述多个加热元件被各别地供电，其中所述多个加热元件相对于所述熔体的所述暴露表面安置于第二组距离处，所述第二组距离小于所述第一距离，且其中所述多个加热元件用以在所述多个加热元件被各别地供应电力时改变沿所述横向方向的热通量轮廓。
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