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公开(公告)号：CN119069538B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411565547.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。
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公开(公告)号：CN119361479A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411477514.6
申请日：2024-10-22
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体刻蚀领域，公开了一种半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质，包括：确定晶圆的光谱图像数据中每一像素点的光谱向量；选取刻蚀层一像素点确定为第一基准像素点，且确定第一基准像素点对应的光谱向量为第一基准向量；将光谱图像数据中每一像素点的光谱向量与第一基准向量进行相似度对比，确定光谱图像数据中刻蚀层与终止层的分布区域；针对终止层的分布区域，从多个光谱波段中选取符合预设条件的光谱波段范围确定为终止层的特征谱段；基于终止层的特征谱段，对待刻蚀晶圆的刻蚀终点进行监测。本申请解决了在实际工艺中造成刻蚀终点监测不准的问题，根据终止层的特征谱段对刻蚀终点监测，提高刻蚀终点监测的准确性。
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公开(公告)号：CN118866973B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119653790A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411792272.X
申请日：2024-12-06
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种功率器件及功率器件的制备方法，该功率器件包括：外延层具有背离衬底的第一表面；注入区包括至少一个第一注入区和多个第二注入区，第一注入区的外周分布有多个第二注入区，第一注入区在第一表面上具有第一投影，第二注入区在第一表面上具有第二投影，第一投影具有第一面积，第二投影具有第二面积，第一面积大于第二面积；耐压离子区在第一方向上位于注入区的两侧，注入区在第二方向上具有第一深度，耐压离子区在第二方向上具有第二深度，第二深度大于第一深度，第一方向平行于第一表面，第二方向为衬底指向外延层的方向。以解决相关技术中功率器件在反向阻断过程中，表面电场聚集导致高压时器件容易被击穿，造成失效的问题。
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公开(公告)号：CN118763121B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117613078A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311478238.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，所述功率器件包括源极(1)、二氧化硅(2)、漏极(3)、势垒层(4)和栅极(5)，其中，所述势垒层(4)为弧形结构，所述势垒层(4)上的所述源极(1)与所述漏极(3)之间通过所述二氧化硅(2)相连。本发明实施例缩减功率器件的横向尺寸，可以降低功率器件的制备成本。
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公开(公告)号：CN119008440A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410971832.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种监控碳化硅晶圆翘曲的方法，包括：在碳化硅晶圆表面设置N个采样点，其中，N≥2。测量N个采样点的粗糙度，粗糙度在显微镜下测量得到。根据粗糙度监控研磨质量，粗糙度与碳化硅晶圆的翘曲呈正相关。若研磨质量异常，则更换研磨设备，或调整工艺参数。一个采样点的粗糙度较大，说明碳化硅晶圆在该点的局部翘曲较大；N个采样点的粗糙度均较大，说明碳化硅晶圆整体的翘曲较大。在加工碳化硅晶圆的过程中监控碳化硅晶圆表面N个采样点的粗糙度，根据粗糙度可以及时判断研磨质量是否存在异常，在研磨质量存在异常时，在硬件上更换研磨设备，或在软件上调整工艺参数，可以避免在后续加工过程中出现加工异常。
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公开(公告)号：CN118763121A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411256993.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L27/07 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/872 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。
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公开(公告)号：CN119400697A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411552548.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆背面欧姆接触制备方法、装置、设备和存储介质，包括：对经过正面工艺处理后的晶圆的背面进行金属化处理，以在晶圆的背面形成欧姆金属，其中，晶圆的背面包括芯片区域与划片道区域；基于预设的区域定位条件，对与划片道区域对应的欧姆金属不进行激光退火，同时对与芯片区域对应的欧姆金属进行激光退火，以在欧姆金属与晶圆之间形成欧姆合金；对与划片道区域对应的欧姆金属剥除。本申请公开的晶圆背面欧姆接触制备方法，解决了激光退火方式易导致激光的产能和寿命降低，且导致划片刀轮的寿命降低的问题，使得在后续切割时有效地延长了划片刀轮的寿命，并且激光退火的产能和激光寿命得到提高。
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公开(公告)号：CN119069538A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565547.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。
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