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公开(公告)号：CN119008378A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972233.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，包括对碳化硅晶圆片的碳化硅衬底的正面进行正面工艺加工，形成正面工艺膜层。在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，第一反应力膜层与正面工艺膜层产生的应力方向相反，第一反应力膜层可以起到缓冲和过渡的作用，第一反应力膜层本身可以调节翘曲应力。本发明在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，可以较好的降低加工过程中产生的应力，从而降低翘曲，进一步降低碳化硅晶圆片的厚度。
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公开(公告)号：CN118866974A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN118866973A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN118866974B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
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公开(公告)号：CN117613078A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311478238.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明实施例提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，所述功率器件包括源极(1)、二氧化硅(2)、漏极(3)、势垒层(4)和栅极(5)，其中，所述势垒层(4)为弧形结构，所述势垒层(4)上的所述源极(1)与所述漏极(3)之间通过所述二氧化硅(2)相连。本发明实施例缩减功率器件的横向尺寸，可以降低功率器件的制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119069537B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411565542.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H10D30/66 , H10D62/822 , H10D30/01
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该MOS器件包括：衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，MOS器件还包括：至少一个源区结构，源区结构包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一体区，第一重掺杂区和第一体区具有第一掺杂类型，第二重掺杂区具有第二掺杂类型，第一体区至少位于第一重掺杂区和第二重掺杂区靠近衬底的一侧，第一体区与漂移层具有不同的半导体材料；栅极结构，栅极结构包括栅极和第一栅介质，第一栅介质至少位于栅极与源区结构之间，其中，第一栅介质至少与第一体区和第二重掺杂区接触。以解决相关技术中MOS器件的沟道迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN119069538B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411565547.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。
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公开(公告)号：CN118866973B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119069537A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565542.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/165 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，该MOS器件包括：衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，MOS器件还包括：至少一个源区结构，源区结构包括第一重掺杂区、第二重掺杂区和第一体区，第一重掺杂区和第一体区具有第一掺杂类型，第二重掺杂区具有第二掺杂类型，第一体区至少位于第一重掺杂区和第二重掺杂区靠近衬底的一侧，第一体区与漂移层具有不同的半导体材料；栅极结构，栅极结构包括栅极和第一栅介质，第一栅介质至少位于栅极与源区结构之间，其中，第一栅介质至少与第一体区和第二重掺杂区接触。以解决相关技术中MOS器件的沟道迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN119008525A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972759.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种去掉碳化硅晶圆背面氧化层的方法，包括对碳化硅晶圆的正面进行正面工艺加工，在碳化硅晶圆的正面贴膜。采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，去除碳化硅晶圆正面的薄膜，得到去除氧化物后晶圆。对去除氧化物后晶圆的背面进行减薄，得到减薄后晶圆。由于在碳化硅晶圆的正面贴膜，可以防止在去除氧化物的过程中腐蚀掉正面膜层。在减薄加工之前，先去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以降低减薄工艺的磨损比。相比于采用研磨的方式去除碳化硅晶圆背面的氧化物，采用腐蚀法去除碳化硅晶圆背面的氧化物，可以提高去除氧化物的效率，避免碳化硅晶圆产生较大的翘曲。
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