公开(公告)号：CN119871693A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411913939.7

申请日：2024-12-24

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  刘颖聪 ,  周天彪 ,  陈唯一

IPC: B28D5/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开的SiC基器件划片裂片方法及其制作的SiC基器件，属于半导体加工技术领域。所述方法用于将包括SiC衬底、正面工艺层及正面金属图形层的晶圆结构分割为多个Die；包括：S1、晶圆背面贴膜，并根据预设切割线对晶圆正面进行开槽操作；S2、晶圆正面贴膜，并根据预设切割线对晶圆背面进行划片操作；S3、晶圆背面贴膜并进行正面裂片操作；S4、进行晶圆扩膜操作。本发明通过先在正面开槽后再在背面划片的工艺，使得晶圆正面和背面均形成割道，更便于裂片操作，避免裂片时因正面没有割道而导致挤压碎片的情形，从而提升良品率；而且，晶圆正面和背面的割道都不需要加工的太深，可以有效缓减刀轮过热及磨损消耗，从而提升划片裂片效率。

公开(公告)号：CN119361479A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411477514.6

申请日：2024-10-22

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 宋旋坤 ,  李辉斌 ,  陈唯一 ,  陈慧

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明实施例涉及半导体刻蚀领域，公开了一种半导体刻蚀监测方法、装置、设备和存储介质，包括：确定晶圆的光谱图像数据中每一像素点的光谱向量；选取刻蚀层一像素点确定为第一基准像素点，且确定第一基准像素点对应的光谱向量为第一基准向量；将光谱图像数据中每一像素点的光谱向量与第一基准向量进行相似度对比，确定光谱图像数据中刻蚀层与终止层的分布区域；针对终止层的分布区域，从多个光谱波段中选取符合预设条件的光谱波段范围确定为终止层的特征谱段；基于终止层的特征谱段，对待刻蚀晶圆的刻蚀终点进行监测。本申请解决了在实际工艺中造成刻蚀终点监测不准的问题，根据终止层的特征谱段对刻蚀终点监测，提高刻蚀终点监测的准确性。

公开(公告)号：CN119133256A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411258657.8

申请日：2024-09-09

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 宋旋坤 ,  李辉斌 ,  周璇 ,  陈唯一

IPC: H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本申请提供了一种功率二极管及其制备方法，该功率二极管包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧，具有第一掺杂类型；有源区，位于外延层中，有源区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区在第一方向上间隔分布有多行，并在第二方向上间隔分布有多列，第一掺杂区至少位于在第一方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第二掺杂区至少位于在第二方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区具有第二掺杂类型，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区浓度，第三掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。该功率二极管解决了现有技术中在高压下功率二极管的反向恢复时间被延长，降低器件的开关速度的问题。