公开(公告)号：CN119653790A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411792272.X

申请日：2024-12-06

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 宋旋坤 ,  李凯 ,  唐利军 ,  宋波 ,  陈慧

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/50 ,  H10D8/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/83

Abstract: 本申请公开了一种功率器件及功率器件的制备方法，该功率器件包括：外延层具有背离衬底的第一表面；注入区包括至少一个第一注入区和多个第二注入区，第一注入区的外周分布有多个第二注入区，第一注入区在第一表面上具有第一投影，第二注入区在第一表面上具有第二投影，第一投影具有第一面积，第二投影具有第二面积，第一面积大于第二面积；耐压离子区在第一方向上位于注入区的两侧，注入区在第二方向上具有第一深度，耐压离子区在第二方向上具有第二深度，第二深度大于第一深度，第一方向平行于第一表面，第二方向为衬底指向外延层的方向。以解决相关技术中功率器件在反向阻断过程中，表面电场聚集导致高压时器件容易被击穿，造成失效的问题。