-
公开(公告)号：CN118919521A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410979898.5
申请日：2024-07-22
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , G09F3/02
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制作方法。半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底沿第一方向的一侧的防伪结构，所述防伪结构包括沿所述第一方向层叠的多层干涉层，所述干涉层中具有防伪图案，相邻所述干涉层的折射率不相同；其中，所述第一方向垂直于所述半导体衬底的表面。所述半导体器件的可靠度提高。
-
公开(公告)号：CN118692936A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410762141.0
申请日：2024-06-13
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种测试片的制造方法及测试方法，包括：在碳化硅晶圆上生长氧化层；剥除所述氧化层；在碳化硅晶圆上生长栅氧化层；在生长好的栅氧化层上沉积多晶硅层；对多晶硅层进行刻蚀，以形成凹槽，在凹槽的两侧形成测试部；去除碳化硅晶圆上背离所述测试部一侧的多晶硅层和所述氧化层，在所述碳化硅晶圆远离所述测试部的一面上制作金属电极，从而形成测试片，本发明的测试片的制造方法解决了碳化硅功率场效应管器件的栅氧化层性能不方便检测的技术问题。
-
公开(公告)号：CN119698040A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411917708.3
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，包括至少一个源极沟槽结构，位于相邻两个第一侧面之间并与源区结构接触设置，源极沟槽结构包括第一栅极、第二栅极、第一介质层和第二介质层，第一介质层位于第一栅极和第二栅极之间，第一栅极、第二栅极和第一介质层构成第一结构，第二介质层分别位于第一结构的侧面和底面并与源区结构和漂移层接触，第一介质层至少包括由第二方向叠层设置第一材料层和第二材料层，第一材料层的材料具有的介电常数大于与第二材料层的材料具有的介电常数，第二方向为由衬底指向源区结构的方向。以解决相关技术中MOS器件中源漏之间反向漏电流损坏器件和源漏之间耦合面积较大导致功耗较大的问题。
-
公开(公告)号：CN118588544A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410633978.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种欧姆接触结构及其制备方法以及制得的碳化硅器件。该欧姆接触结构的制备方法包括：提供碳化硅衬底，碳化硅衬底具有相对的第一表面和第二表面，在第一表面上具有半导体器件；在碳化硅衬底的第二表面上形成金属层；采用第一沉积工艺在金属层背离碳化硅衬底的一侧形成吸收层，第一沉积工艺具有第一温度；采用第二沉积工艺在吸收层背离金属层的一侧形成阻挡层，第二沉积工艺具有第二温度，第一温度小于第二温度；由于第一温度小于第二温度，使得吸收层的致密性小于阻挡层的致密性，吸收层会将碳化硅衬底在退火时析出的碳进行吸收，若吸收层已经饱和不再吸收碳，阻挡层的致密性高也会将析出的碳进行阻挡，进而提高欧姆接触结构的性能。
-
公开(公告)号：CN118588532A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410633665.X
申请日：2024-05-21
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种晶圆片加工方法及加工装置，包括：将膜层贴设在晶圆片的第一表面处，并对晶圆片进行减薄处理；在对晶圆片进行减薄处理后，沿膜层的厚度方向对膜层的至少部分进行刺入操作；对晶圆片的第二表面进行挤压操作，以使膜层在膜层的受刺入部位处形成贯通膜层的厚度方向的刺穿孔；其中，第一表面和第二表面分别位于晶圆片的两侧。通过本发明提供的技术方案，能够解决现有技术中的膜层应力累积导致晶圆片翘曲较大而使得出料时碎片风险较高的技术问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119069539A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565557.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：每个源区结构包括第一源区结构和第二源区结构，第一源区结构位于外延层背离衬底的一侧，第二源区结构位于外延层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；栅极结构的底面和第一侧面分别与源区结构接触；多个整流结构，整流结构至少部分位于外延层中，整流结构与源区结构接触，整流结构具有与外延层不同的掺杂类型，其中，多个整流结构在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面。以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差，与无法满足不同耐压器件续航能力的问题。
-
公开(公告)号：CN119008440A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410971832.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种监控碳化硅晶圆翘曲的方法，包括：在碳化硅晶圆表面设置N个采样点，其中，N≥2。测量N个采样点的粗糙度，粗糙度在显微镜下测量得到。根据粗糙度监控研磨质量，粗糙度与碳化硅晶圆的翘曲呈正相关。若研磨质量异常，则更换研磨设备，或调整工艺参数。一个采样点的粗糙度较大，说明碳化硅晶圆在该点的局部翘曲较大；N个采样点的粗糙度均较大，说明碳化硅晶圆整体的翘曲较大。在加工碳化硅晶圆的过程中监控碳化硅晶圆表面N个采样点的粗糙度，根据粗糙度可以及时判断研磨质量是否存在异常，在研磨质量存在异常时，在硬件上更换研磨设备，或在软件上调整工艺参数，可以避免在后续加工过程中出现加工异常。
-
公开(公告)号：CN119069539B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411565557.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：每个源区结构包括第一源区结构和第二源区结构，第一源区结构位于外延层背离衬底的一侧，第二源区结构位于外延层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；栅极结构的底面和第一侧面分别与源区结构接触；多个整流结构，整流结构至少部分位于外延层中，整流结构与源区结构接触，整流结构具有与外延层不同的掺杂类型，其中，多个整流结构在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面。以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差，与无法满足不同耐压器件续航能力的问题。
-
公开(公告)号：CN118588576A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410648967.4
申请日：2024-05-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种反馈碳膜质量的工艺方法和碳膜质量的检测方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成参考膜层；采用外延生长工艺在参考膜层背离衬底的一侧形成碳膜；使腐蚀液透过碳膜对参考膜层进行腐蚀，参考膜层形成孔洞，孔洞用于反馈碳膜的当前性能参数；在腐蚀液对参考膜层腐蚀结束后，采用热处理工艺去除碳膜。通过观察参考膜层形成的孔洞的相关参数确定碳膜的当前性能参数，对外延生长工艺的参数进行更新，进而提升半导体器件的碳膜的质量，不需要采用量测机台，进而不会产生清理机台的费用，解决了现有技术中对半导体器件的碳膜质量进行检测的结果不准确，且成本较高的问题。
-
公开(公告)号：CN222418845U
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202421285856.3
申请日：2024-06-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种晶圆片翘曲测量装置，晶圆片翘曲测量装置包括：接触感应件，用于与待测晶圆片的下表面的下凸位置接触；升降件，至少部分设置在接触感应件上方，升降件相对于接触感应件沿竖直方向可运动地设置，升降件的上端用于与待测晶圆片底部外周位置接触以支撑待测晶圆片；测量尺，测量尺上标有尺寸刻度，测量尺设置在升降件上且与升降件沿竖直方向相互平行，以随升降件运动，以解决现有技术中缺少能够精确地测量超薄晶圆片的翘曲值的装置的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.047 seconds)
