-
公开(公告)号：CN119894065A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411914058.7
申请日：2024-12-24
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开的SiC晶圆结构背银缺陷改善方法及其制作的SiC器件，属于半导体器件加工技术领域。所述方法包括：S1、在SiC衬底正面加工并形成正面工艺膜层；S2、在SiC衬底背面加工背面欧姆金属层；S3、在欧姆金属层表面背金中间金属层；S4、在中间金属层表面通过低温加工方式背金第一银层；S5、在第一银层表面通过高温加工方式背金第二银层。本发明中，高温加工方式背金的第二银层更加致密，抵御高温下测试粗糙化能力更强，但是应力大；故而先通过低温加工方式加工一层粗糙但应力小的第一银层，达到应力逐步释放的目的。这样，背金后的SiC晶圆结构在后续电性能参数CP测试和晶圆可靠性测试过程中，就不会呈现宏观肉眼可见的白斑缺陷。
-
公开(公告)号：CN119400697A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411552548.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆背面欧姆接触制备方法、装置、设备和存储介质，包括：对经过正面工艺处理后的晶圆的背面进行金属化处理，以在晶圆的背面形成欧姆金属，其中，晶圆的背面包括芯片区域与划片道区域；基于预设的区域定位条件，对与划片道区域对应的欧姆金属不进行激光退火，同时对与芯片区域对应的欧姆金属进行激光退火，以在欧姆金属与晶圆之间形成欧姆合金；对与划片道区域对应的欧姆金属剥除。本申请公开的晶圆背面欧姆接触制备方法，解决了激光退火方式易导致激光的产能和寿命降低，且导致划片刀轮的寿命降低的问题，使得在后续切割时有效地延长了划片刀轮的寿命，并且激光退火的产能和激光寿命得到提高。
-
公开(公告)号：CN119133256A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411258657.8
申请日：2024-09-09
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供了一种功率二极管及其制备方法，该功率二极管包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧，具有第一掺杂类型；有源区，位于外延层中，有源区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第三掺杂区在第一方向上间隔分布有多行，并在第二方向上间隔分布有多列，第一掺杂区至少位于在第一方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第二掺杂区至少位于在第二方向上的相邻任意第三掺杂区之间，第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区具有第二掺杂类型，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区浓度，第三掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度。该功率二极管解决了现有技术中在高压下功率二极管的反向恢复时间被延长，降低器件的开关速度的问题。
-
公开(公告)号：CN119069538A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411565547.6
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；漂移层，位于衬底的一侧；第一源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧；第二源区结构，位于漂移层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；屏蔽区，位于漂移层和第二源区结构之间，屏蔽区包括多个第一屏蔽区，第一屏蔽区沿第一方向间隔分布，第一方向为衬底指向漂移层的方向。多个第一屏蔽区沿着第一方向的方向分别对器件中的载流子进行耗尽，进而降低了MOS器件中的内建电场，使得器件更加稳定，进而解决了相关技术中由于MOS器件在拐角处电场集中，易导致被击穿的问题。
-
公开(公告)号：CN119049969A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166453.1
申请日：2024-08-23
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/45
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅欧姆接触结构、其制备方法及半导体器件，所述方法包括：对碳化硅外延层表面的目标区域进行掺杂，形成碳化硅外延层表面的掺杂区；对所述碳化硅外延层的已形成所述掺杂区的表面进行热氧生长修复处理，以修复所述碳化硅外延层的粗糙表面；在所述碳化硅外延层的经过修复处理的表面形成金属层；对已形成所述金属层的碳化硅外延层进行高温烧结处理，形成欧姆接触结构。本公开可以解决因表面粗糙等问题造成的金属‑半导体欧姆接触质量不高的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119069539B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411565557.X
申请日：2024-11-05
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括：每个源区结构包括第一源区结构和第二源区结构，第一源区结构位于外延层背离衬底的一侧，第二源区结构位于外延层背离衬底的一侧，且第一源区结构背离衬底的一侧表面位于第二源区结构靠近衬底一侧的表面中；栅极结构的底面和第一侧面分别与源区结构接触；多个整流结构，整流结构至少部分位于外延层中，整流结构与源区结构接触，整流结构具有与外延层不同的掺杂类型，其中，多个整流结构在第一方向上间隔设置，第一方向平行于第一侧面。以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差，与无法满足不同耐压器件续航能力的问题。
-
公开(公告)号：CN119008378A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410972233.1
申请日：2024-07-19
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种降低碳化硅超薄晶圆片翘曲的方法，包括对碳化硅晶圆片的碳化硅衬底的正面进行正面工艺加工，形成正面工艺膜层。在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，第一反应力膜层与正面工艺膜层产生的应力方向相反，第一反应力膜层可以起到缓冲和过渡的作用，第一反应力膜层本身可以调节翘曲应力。本发明在正面工艺膜层的表面制作第一反应力膜层，可以较好的降低加工过程中产生的应力，从而降低翘曲，进一步降低碳化硅晶圆片的厚度。
-
公开(公告)号：CN118943039A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411130511.5
申请日：2024-08-16
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆翘曲的检测方法、装置、电子设备和存储介质，晶圆包括通过划片道划分的多个芯片，先获取相机拍摄晶圆的各个芯片的划片道区域时，相机相对划片道区域的实际相机高度，然后获取基准相机高度，基准相机高度为相机对参考晶圆的第一层划片道拍摄图像时的相机高度，再根据各个芯片的划片道区域对应的实际相机高度和基准相机高度，确定晶圆的翘曲度。本发明实施例根据相机拍摄晶圆的各个芯片的划片道区域时，相机相对划片道区域的实际相机高度以及基准相机高度，确定晶圆的翘曲度，这种方式对晶圆表面每颗芯片的翘曲情况都可以检测到，可实现芯片级的检测精度，提高了检测晶圆翘曲的精度。
-
公开(公告)号：CN118866974A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411343002.0
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括衬底以及在衬底上层叠设置的漂移层和多个源区，MOS器件还包括：栅氧层，栅氧层至少与源区接触，栅氧层包括在第一方向上交替设置的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层包括不同的第一绝缘材料，第一方向平行于衬底与漂移层接触的表面。该MOS器件包括不同绝缘材料的第一栅氧层和第二栅氧层，第一栅氧层和第二栅氧层在平行于衬底与漂移层接触的表面上交替设置，采用常规的栅氧和高K介质材料替换单一的栅氧，提高耐击穿属性，降低介质层中的电场强度，减弱FN隧穿电流，提高栅介质可靠性。以解决相关技术中栅氧在高压场合下容易击穿导致可靠性的问题。
-
公开(公告)号：CN118866973A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411342996.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/07 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种MOS器件及其制备方法，包括衬底以及在衬底的一侧具有漂移层，漂移层具有背离衬底的第一表面，源区结构设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，源区结构包括第一注入区、第二注入区和多个第三注入区，第一注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，第一注入区具有第一侧面和第二侧面，第二注入区分别与第一注入区的底面和第一侧面接触，第三注入区间隔设置在漂移层中且由第一表面指向衬底的方向延伸，且第三注入区与第二侧面接触，至少一个第三注入区的底面与漂移层接触，第一注入区具有第一掺杂类型，第二注入区和第三注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中外接FRD导致的MOS器件可靠性较低的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
32
records
(took 0.038 seconds)
