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公开(公告)号：CN117423626A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311302533.0
申请日：2023-10-09
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶圆加工方法和晶圆，所述晶圆加工方法包括在晶圆衬底上设置隔离保护层，所述隔离保护层用于保护所述晶圆衬底；在所述隔离保护层远离所述晶圆衬底的侧面上设置应力调整层，得到第一晶圆产品，所述应力调整层用于调整所述晶圆衬底加工时的应力；在所述第一晶圆产品进行晶圆加工工艺，得到第二晶圆产品；对所述第二晶圆产品进行衬底去膜，去除所述隔离保护层和所述应力调整层；对所述第二晶圆产品进行晶圆背面工艺，得到目标晶圆产品；本发明实施例通过增加晶圆衬底的隔离保护层和应力调整层，可以增强加工时晶圆抗翘曲强度，优化晶圆翘曲，且不对原晶圆产生影响，保证晶圆的生产质量。
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公开(公告)号：CN118943011A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410960983.7
申请日：2024-07-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/027 , H01L29/06
Abstract: 本申请公开了一种功率器件的制备方法及功率器件，所述方法包括：对晶圆中第一表面上的原始光刻胶层进行第一光刻处理，得到第一光刻胶层；基于第一光刻胶层中的第一图案，对第一光刻胶层和第一区域进行一次干刻处理，在晶圆的所述第一区域处形成第一沟槽；对一次干刻处理后的第一光刻胶层进行第二光刻处理，得到第二光刻胶层；基于第二光刻胶层中的第二图案，对第二光刻胶层、第二区域和第一沟槽进行二次干刻处理，得到第二沟槽；基于包含第二沟槽的晶圆，制备功率器件。本申请实施例可以通过二次干刻处理将晶圆中一次干刻处理形成的损伤层去除，提高了功率器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN119317165A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411239611.1
申请日：2024-09-05
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种晶体管及制作方法、装置、电子设备及介质，通过在晶体管的第一面设置栅极沟槽，晶体管的第二面设置辅助沟槽，且辅助沟槽设置在与栅极沟槽相对应的位置，辅助沟槽和栅极沟槽之间形成第一浮空区。通过本发明实施例，实现了通过辅助沟槽形成浮空区，进而能够优化晶体管中的电流路径，从而改善电场集中效应，提升功率器件的可靠性，避免限制功率器件在更高电场电压下的应用。
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公开(公告)号：CN221447123U
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202323089683.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种模块芯片定位装置，涉及模块装配技术领域。本实用新型包括定位板和多个基准定位部。定位板上开设有第一定位槽、第二定位槽以及第三定位槽，第一定位槽对高压集成电路模块形成限位，第二定位槽对绝缘栅双极型晶体管形成限位，第三定位槽对快恢复二极管形成限位。多个基准定位部设置于定位板上，其中，每个第一定位槽、第二定位槽以及第三定位槽分别对应有至少一个基准定位部，以通过基准定位部进行芯片的定位。通过定位装置将模块上所有的芯片预先定位，再通过上芯机识别基准定位部进行上芯定位，可以一次性完成所有芯片的上芯。由此，消除了各芯片与焊料的高温接触时间，又从整体上提高了上芯效率和模块的运行稳定性。
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