一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN113948542A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111217019.8

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法,包括集成电路基板和设于集成电路基板上表面的像素器件;像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元,吸气单元包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层,支撑层,设于支撑层上表面的密封层;吸气单元中的空腔与像素单元的空腔连通;或者,像素器件包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层,设于反射层上方且与反射层相对应的红外传感器单元。像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元,吸气剂层并不设于像素单元中;或者像素器件中吸气剂层不与红外传感器单元对应,避免吸气剂层对红外传感器单元的影响,提升非制冷红外探测器性能。

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