一种非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪

    公开(公告)号:CN114323276B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202111645213.6

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请公开了一种非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪,包括感光芯片,感光芯片包括多个超像元,每个超像元包括多个互不相同的第一光谱像元,每个第一光谱像元包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构;每个超像元输出与待测目标对应区域的光谱信息,光谱信息包括多个离散的波长,以便得到与每个波长对应的光谱图像,并得到高光谱数据立方体。本申请中特征微结构使非制冷高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的,没有狭缝和窄带滤光片限制光谱成像系统的光通量,提升光通量和信噪比;超像元兼具光谱测量和成像作用,从而使非制冷高光谱成像芯片通过一次曝光拍摄即可得到高光谱数据立方体,解决传统光谱成像系统成像缓慢的问题。

    一种非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪

    公开(公告)号:CN114323276A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111645213.6

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请公开了一种非制冷高光谱成像芯片和高光谱成像仪,包括感光芯片,感光芯片包括多个超像元,每个超像元包括多个互不相同的第一光谱像元,每个第一光谱像元包括多个使第一光谱像元的光谱响应为宽带响应的特征微结构;每个超像元输出与待测目标对应区域的光谱信息,光谱信息包括多个离散的波长,以便得到与每个波长对应的光谱图像,并得到高光谱数据立方体。本申请中特征微结构使非制冷高光谱成像芯片的光谱响应为宽带的,没有狭缝和窄带滤光片限制光谱成像系统的光通量,提升光通量和信噪比;超像元兼具光谱测量和成像作用,从而使非制冷高光谱成像芯片通过一次曝光拍摄即可得到高光谱数据立方体,解决传统光谱成像系统成像缓慢的问题。

    一种非制冷红外偏振探测像元结构、芯片及探测器

    公开(公告)号:CN114001832B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202111276820.X

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外偏振探测像元结构,通过将光栅层的通光区域设置成对应偏振方向的正多边形,可以保证该通光区域中对应不同偏振方向的光栅除偏振方向不同之外均具有相同的形貌,从而保证对于多个预设偏振方向的入射光该光栅层均具有相同的透过效率。通过将像元层设置成与透光区域相对应的正多边形,同时在像元层表面设置吸收单元,可以排除像元层中电极造成的偏振选择吸收特性的影响,使得红外探测像元的光吸收偏振不敏感,从而保证像元层对不同偏振方向的光线响应一致,避免响应非均匀性的问题。本发明还提供了一种芯片以及探测器,同样具有上述有益效果。

    一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法

    公开(公告)号:CN115044865A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210653510.3

    申请日:2022-06-09

    Abstract: 本申请公开了一种用于镀制膜层的掩膜组件及其制作方法,涉及图形化镀膜设备领域,用于待镀部件镀制中。该组件包括掩膜片、具有第一通孔的掩膜片载板、具有第二通孔的定位基板,掩膜片载板与定位基板固定连接,掩膜片与掩膜片载板固定连接,第一通孔与第二通孔对应;第二通孔用于放置待镀部件,掩膜片的图形化处理区域对应第一通孔,定位基板和掩膜片位于掩膜片载板的同一侧。本申请具有第二通孔的定位基板和掩膜片分别与具有第一通孔的掩膜片载板固定连接,镀制时直接将待镀部件放置在第二通孔处,无需取放掩膜片,简化工艺流程,提升镀制效率,且可以避免在取放掩膜片时对掩膜片以及对待镀部件造成的损伤,降低镀制成本,提升待镀部件的良率。

    一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN111896120B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202010801748.7

    申请日:2020-08-11

    Abstract: 本申请公开了一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法,包括由下向上设置的基底层、第一悬空层、第二悬空层,第二悬空层包括第二支撑层和线栅层;线栅层包括多个超像元区域,每个超像元区域包括呈矩阵排列的第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域,第一子超像元区域、第二子超像元区域、第三子超像元区域、第四子超像元区域中均包括四个线栅像元区域,每个线栅像元区域中线栅朝向角度均不同,且第一子超像元区域和第四子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度大于第二子超像元区域和第三子超像元区域对应的绝缘介质层的厚度。本申请的红外探测器在实现偏振双色成像的条件下,保证工作视场不受影响。

    一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN113948542A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111217019.8

    申请日:2021-10-19

    Abstract: 本申请公开了一种非制冷红外探测器的像素级封装结构及其制作方法,包括集成电路基板和设于集成电路基板上表面的像素器件;像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元,吸气单元包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层,支撑层,设于支撑层上表面的密封层;吸气单元中的空腔与像素单元的空腔连通;或者,像素器件包括设于集成电路基板上表面的吸气剂层和反射层,设于反射层上方且与反射层相对应的红外传感器单元。像素器件包括像素单元和设于像素单元一侧的吸气单元,吸气剂层并不设于像素单元中;或者像素器件中吸气剂层不与红外传感器单元对应,避免吸气剂层对红外传感器单元的影响,提升非制冷红外探测器性能。

    一种双色偏振非制冷红外探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN111947789B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202010801746.8

    申请日:2020-08-11

    Abstract: 本申请公开了双色偏振红外探测器及其制作方法,包括多个探测器单元,探测器单元包括四个超像元结构,超像元结构包括四个像素单元;像素单元包括基底层、第一悬空层、第二悬空层,第一悬空层包括支撑结构层和超表面吸收层,超表面吸收层位于支撑结构层的两个支撑与电连接孔之间,且超表面吸收层包括背板层、介质层、金属阵列层,金属阵列层包括多个不同尺寸的金属块,第二悬空层包括第一支撑层和线栅层;同一超像元结构中的四个线栅层具有各不相同的线栅朝向角度,位于同一对角线上的两个超像元结构中的金属阵列层相同,且两条对角线上的金属阵列层中的金属块尺寸不等,以实现对红外波段的双色偏振成像,无需制作高度不同的谐振腔,制作工艺简单。

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