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公开(公告)号：CN106672891A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710053127.3
申请日：2017-01-24
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0009 , B81B7/02 , B81C1/00476 , G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种双层非制冷红外探测器结构及其制备方法，所述探测器包括一包含读出电路的半导体基座和一带微桥支撑结构的探测器，所述半导体基座的读出电路与所述探测器电连接，所述探测器包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述电极金属层上设有热敏层，所述热敏层不能完全覆盖电极金属层，所述热敏层通过所述电极金属层与所述金属电极层电连接；制备时，先沉积电极金属层，再沉积热敏薄膜氧化钒，电极金属层之上覆盖着一层热敏薄膜氧化钒，使其对红外辐射的反射率大大降低，提高了探测器的红外吸收效率。
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公开(公告)号：CN108147363A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711408352.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN106629582A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710037831.X
申请日：2017-01-19
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00873 , B81C1/00896
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：贴UV膜，将晶圆正面朝下放置在贴膜机中间悬空的真空吸盘正中央；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成，前切刀片切割的厚度为晶圆总厚度的20％～60％，后切刀片将晶圆划透；清洗和甩干，将固定在锈钢框架上的晶圆整体放在可旋转的陶瓷密孔吸盘上，陶瓷密孔吸盘固定不锈钢框架的四周，陶瓷密孔吸盘上方设有喷液系统，喷液系统包含若干个可左右摆动喷洒溶液的喷头，喷头喷洒液体清洗晶圆，陶瓷密孔吸盘高速旋转，将废液甩出；照射；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；把托盘放在去胶机设备中，进行结构释放。不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性。
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公开(公告)号：CN107827079A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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公开(公告)号：CN106800272A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201710087018.3
申请日：2017-02-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81C99/001 , B81C1/00896 , B81C99/004
Abstract: 本发明涉及一种MEMS晶圆切割清洗及释放方法，包括以下步骤：晶圆正面涂光刻胶，背面减薄处理；键合，晶圆背面和玻璃底座的正面同UV胶键合；切割，采用台阶切割，两步切割连续完成；清洗和甩干晶圆；结构释放，将晶圆及玻璃底座整体放入去胶设备中进行结构释放；解键合：使用UV照射机降低晶圆与玻璃底座之间的UV胶的粘性；对晶圆进行扩膜；利用芯片拾取设备将芯片从UV膜取下放入托盘中；裂片和扩膜；光学检测机封装测试；不需要两次对位，保证了两次切割位置的精准性，实现了晶圆级的结构释放和测试，效率较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108147363B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711408352.0
申请日：2017-12-22
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。
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公开(公告)号：CN107827079B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201711145570.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
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公开(公告)号：CN109065439A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810902315.3
申请日：2018-08-09
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02041 , B81B7/02 , H01L21/02057
Abstract: 本发明公开了一种MEMS晶圆表面颗粒去除设备，包括用于固定表面贴合有晶圆的薄膜的扩晶环和气体喷射装置；所述气体喷射装置的气体喷嘴朝向所述扩晶环中设置所述晶圆的区域，以使所述气体喷射装置向所述晶圆喷气。在工作状态时，气体喷射装置可以朝安装在扩晶环中的晶圆吹气，通过气流可以有效将MEMS晶圆表面的表面颗粒吹离晶圆表面，从而有效去除晶圆表面的表面颗粒；同时由于仅仅是向晶圆表面喷射气体，几乎不会对晶圆表面的MEMS结构产生破坏，从而可以提高MEMS芯片的产率。本发明还提供了一种去除MEMS晶圆表面颗粒的方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110902643B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN110902643A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911167892.3
申请日：2019-11-25
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS传感器，在封盖晶圆朝向传感器晶圆一侧表面设置有吸气剂；吸气剂位于封盖晶圆与传感器晶圆之间的空腔内，封盖晶圆设置有对应空腔的电极通孔，电极通孔内设置有激活电极，激活电极与吸气剂相接触，封盖晶圆对应任一所述空腔设置有至少两个电极通孔。在MEMS传感器外侧可以通过位于电极通孔内的激活电极向吸气剂供电，在电流流过吸气剂时会将电能转换为热能从而激活吸气剂，从而避免激活吸气剂时对传感器结构造成的影响。通过设置激活电极，可以多次激活吸气剂，以保证MEMS传感器内的真空度。本发明还提供了一种MEMS传感器的制备方法，同样具有上述有益效果。
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