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公开(公告)号：CN111460655B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010244460.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
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公开(公告)号：CN110187251B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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公开(公告)号：CN111814334A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010653213.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
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公开(公告)号：CN110907792A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911193449.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN108597557A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810317130.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
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公开(公告)号：CN113901702A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111235714.7
申请日：2021-10-22
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/25
Abstract: 本发明公开了一种LET值仿真方法，包括：建立器件模型，器件模型包含灵敏体积区域；建立粒子输运模型；设置粒子源、及粒子源中粒子入射LET值，向器件模型发射N个粒子；计算N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl，及在灵敏体积区域的有效LET值Leff，Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。本发明提出的技术方案，通过建立器件模型及粒子输运模型，计算粒子在器件灵敏体积区域的有效LET值，缓解了采用粒子入射LET值计算单粒子翻转截面难以表征实际物理过程的技术问题。
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公开(公告)号：CN112164418A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011073590.2
申请日：2020-10-09
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请公开了一种存储器单粒子效应的测试系统、方法及装置，所述测试系统包括辐照板，其上设置有存储器；测试板，其上设置有FPGA器件，所述FPGA器件与所述存储器电连接，对所述存储器进行数据写入和/或数据读出；发射装置，用于发射重离子微束；控制平台，用于控制所述辐照板相对所述发射装置进行水平和/或上下位移；其中，所述FPGA器件上设置有第一反馈线路和第二反馈线路，分别用于输出不同的单粒子效应反馈信号。本申请实施例通过为不同单粒子效应设置不同的反馈线路和反馈机制，使得被测器件上的单粒子翻转效应区域和单粒子瞬态效应区域能够得到快速识别。
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