公开(公告)号：CN110187251A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910493496.3

申请日：2019-06-06

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  郝蕊静 ,  琚安安 ,  潘霄宇 ,  秦丽 ,  郭维新 ,  张凤祁 ,  钟向丽 ,  欧阳晓平 ,  董世剑 ,  李波

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。

公开(公告)号：CN110187251B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910493496.3

申请日：2019-06-06

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  郝蕊静 ,  琚安安 ,  潘霄宇 ,  秦丽 ,  郭维新 ,  张凤祁 ,  钟向丽 ,  欧阳晓平 ,  董世剑 ,  李波

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。

公开(公告)号：CN110907792A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911193449.3

申请日：2019-11-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  董世剑 ,  琚安安 ,  潘霄宇 ,  秦丽 ,  郭维新 ,  张凤祁 ,  钟向丽 ,  欧阳晓平 ,  郝蕊静 ,  李波

IPC: G01R31/26 ,  G01N27/24

Abstract: 本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。

公开(公告)号：CN110135074A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910413000.7

申请日：2019-05-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  郝蕊静 ,  雷志锋 ,  琚安安 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  欧阳晓平 ,  秦丽 ,  李波 ,  潘霄宇 ,  董世剑

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的方法，利用SRIM计算重离子在GaN材料中的能量损失参数并获得其造成的潜径迹图，可以准确、快速、便捷的实现分析重离子造成GaN HEMT器件潜径迹损伤的效果，从而为降低空间中高能重离子辐照对GaN HEMT器件的影响提供研究基础。