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公开(公告)号：CN116106710A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211634449.4
申请日：2022-12-19
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及微电子领域，具体涉及一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法，其特征在于，包括：在常温条件下，对第一待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第一瞬态脉冲数据；在预设温度下，对第二待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第二瞬态脉冲数据，所述预设温度低于常温；基于所述第一瞬态脉冲数据和所述第二瞬态脉冲数据，分析第二锗硅异质结晶体管组在所述预设温度下质子引发单粒子效应的产生机制。本发明通过分别对常温和预设温度下的锗硅异质结晶体管进行质子辐照，并对检测获得的瞬态脉冲数据对比分析，进而分析得到质子引发单粒子效应的产生机制。
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公开(公告)号：CN111798917B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202010619291.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请公开了一种存储器单粒子效应的动态测试结果的数据处理方法，包括：获取所述存储器单粒子效应的动态测试结果；将所述动态测试结果中的错误数据按所述存储器的读周期逐行保存为二维数组，一个读周期对应于所述二维数组中的一行；对所述二维数组中的元素从最后一行开始按行遍历排查，删除每一行中相对上一行中重复出现的元素，得到第一数组。通常本申请所述的数据处理方法，可以对存储器单粒子效应动态测试结果中大量重复出现的错误数据进行删减,从而有效缩减测试结果的数据量，以方便对结果数据的后续处理和传输。
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公开(公告)号：CN113010929A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110193428.2
申请日：2021-02-20
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/10 , G01N21/84 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。
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公开(公告)号：CN108597557B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810317130.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
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公开(公告)号：CN106940422B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611076252.8
申请日：2016-11-29
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种辐射效应通用测试系统及测试方法。该系统包括控制器、多个仪器模块以及PXIe机箱；所述多个仪器模块包括高速数字IO、任意波形发生器、高速模拟采集卡、高精模拟采集卡、矩阵开关、精密电流电压源；该系统的方法主要包括以下步骤：1)封装所有仪器模块底层驱动命令，形成仪器模块操作；2)拆分仪器模块操作流程；3)根据仪器模块操作流程创建操作列表；4)添加仪器模块操作；5)创建测试任务；6)形成测试任务列表；7)根据测试任务列表执行被测目标物的测试。本发明不仅能实现多种数字、模拟、数模混合半导体器件辐射效应测试的通用，并且测试精度、速度都明显提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110187251A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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公开(公告)号：CN106992782A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710117673.9
申请日：2017-03-01
IPC: H03M1/10
CPC classification number: H03M1/109
Abstract: 本发明涉及一种定时同步DAC静态参数测试方法。该方法在数字输入模块与模拟采集模块无法共享时钟与触发信号的情况下，以运行于控制器上的软件程序依次调度数字输入模块与模拟采集模块，并控制相对时延，实现DAC静态参数测试过程中模拟采集模块的信号采集与数字输入模块的数字信号输入之间的同步。本发明在硬件设备无法共享时钟与触发信号的限制下，实现了DAC静态参数测试模拟采集与数字输入的同步，降低了DAC测试对硬件设备的功能要求，整个测试过程在控制器控制下完全自动化执行。以此测试方法可通过经济适用的小型设备实现DAC的静态参数自动化测试，为一些特殊场景的DAC静态参数测试如总剂量效应实验等提供小型化、经济适用测试方案。
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公开(公告)号：CN117741376A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311499252.9
申请日：2023-11-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种单粒子效应敏感性测试的方法，包括：对SiC MOSFET样品器件进行单粒子辐照试验；对辐照后的所述样品器件进行1/f噪声测试，得到电流功率谱密度与频率关系；根据所述电流功率谱密度与频率关系得到样品器件的内部缺陷密度，基于内部缺陷密度得到单粒子效应敏感性。本发明利用低频噪声分析单粒子效应的敏感性，解决SiC MOSFET单粒子效应辐照试验后电学参数退化不明显以及不准确的问题。
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公开(公告)号：CN113010929B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110193428.2
申请日：2021-02-20
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/10 , G01N21/84 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。
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公开(公告)号：CN112164418B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202011073590.2
申请日：2020-10-09
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本申请公开了一种存储器单粒子效应的测试系统、方法及装置，所述测试系统包括辐照板，其上设置有存储器；测试板，其上设置有FPGA器件，所述FPGA器件与所述存储器电连接，对所述存储器进行数据写入和/或数据读出；发射装置，用于发射重离子微束；控制平台，用于控制所述辐照板相对所述发射装置进行水平和/或上下位移；其中，所述FPGA器件上设置有第一反馈线路和第二反馈线路，分别用于输出不同的单粒子效应反馈信号。本申请实施例通过为不同单粒子效应设置不同的反馈线路和反馈机制，使得被测器件上的单粒子翻转效应区域和单粒子瞬态效应区域能够得到快速识别。
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