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公开(公告)号：CN111814334B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202010653213.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
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公开(公告)号：CN111554354B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010317961.0
申请日：2020-04-21
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 一种偏置电场下重离子辐射碳化硅二极管的损伤分析方法，包括：基于碳化硅二极管的基本结构和材料组成，通过Geant4构建碳化硅二极管的仿真模型，并在Geant4中设定偏置电场的大小和入射粒子的种类、能量；在Geant4中进行仿真模拟：将入射粒子射入碳化硅二极管，模拟不同偏置电场下入射粒子在碳化硅二极管内的粒子运动轨迹及碳化硅二极管的初始缺陷损伤分布；基于仿真模型和初始缺陷损伤分布，通过TCAD软件模拟碳化硅二极管的缺陷损伤演化过程，以分析缺陷损伤对碳化硅二极管的电学性能的影响。揭示偏置电场与辐射损伤的相互作用关系，对碳化硅器件的辐射效应机理分析和可靠性评估提供了技术基础。
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公开(公告)号：CN114563642A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210189856.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置，包括：检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上；对真空腔内进行抽真空；在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能；对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定预设温度辐照下，锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析，得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况，为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。
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公开(公告)号：CN111460655A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010244460.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
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公开(公告)号：CN114563642B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210189856.2
申请日：2022-02-28
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置，包括：检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上；对真空腔内进行抽真空；在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能；对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定预设温度辐照下，锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析，得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况，为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111460655B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010244460.4
申请日：2020-03-31
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法、装置，其中，重离子辐射对SiC MOSFET电学参数影响的分析方法，包括：获取SiC MOSFET器件的参数信息；根据所示参数信息构建SiC MOSFET模型，并计算所述SiC MOSFET模型的第一电学参数；将缺陷电荷引入所述SiC MOSFET模型，并计算经过重离子辐射SiC MOSFET模型的第二电学参数；对比所述第一电学参数和所述第二电学参数，分析重离子辐射对SiC MOSFET器件电学参数的影响。该方法可以多尺度地观测和分析重离子在SiC MOSFET中产生的缺陷，确定缺陷电荷在器件内的分布情况，得到缺陷最终对器件参数造成的影响；与开展重离子辐照实验相比，在节省大量的时间和经费的同时可以对器件的抗辐照性能进行很好的预测和评估。
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公开(公告)号：CN114068694A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111330981.2
申请日：2021-11-11
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/08
Abstract: 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管抗电荷收集的测试方法及系统，该测试方法包括：对待测器件进行测试，并记录第一测试结果；基于第一测试结果筛选出待加固器件；对待加固器件进行分组编号，分别对不同组的待加固器件设置不同的中子注量，对待加固器件进行中子辐照加固处理，使得每组加固后的器件达到各自预定的中子注量值；对每组加固后的器件进行测试得到第二测试结果；根据第二测试结果与第一测试结果的比较确定目标加固器件；确定目标中子注量值，目标中子注量值为目标加固器件相对应的预定的中子注量值。可分析在空间极端辐射环境下不同辐射因素对器件性能的影响，为了解器件在空间极端环境下的可靠性及提出相应的加固措施提供参考。
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公开(公告)号：CN111814334A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010653213.X
申请日：2020-07-08
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/25 , G06F119/04
Abstract: 本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法，包括：确定所述半导体器件的基本结构；根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型；确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数，以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数；定义所述半导体器件模型的底色和框架结构；定义所述半导体器件模型中表示所述入射粒子的线型、线条颜色和线条走向；在所述半导体器件模型中绘制所述入射粒子的运动轨迹。本申请通过构建半导体器件模型，并基于所述器件模型绘制入射粒子在器材模型中的运动轨迹来分析重离子潜径迹损伤情况，避免了基于实物的研究产生的条件限制，方便了更为广泛和普适的模拟研究。
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公开(公告)号：CN113176485A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110412508.2
申请日：2021-04-16
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统，其中测试方法包括：将试验锗硅异质结双极晶体管放置于预设温度下，并对所述试验锗硅异质结双极晶体管施加预设偏置条件；对所述预设温度和所述预设偏置条件下的所述试验锗硅异质结双极晶体管的目标区域施加第一预设辐照条件的激光微束，得到所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果；基于所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果，得到所述试验锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应的敏感区域。本发明的测试方法可有效测出锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应。
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