公开(公告)号：CN111460751A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010229918.9

申请日：2020-03-27

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  柳奕天 ,  潘霄宇 ,  周益春 ,  张凤祁 ,  张文首 ,  顾朝桥 ,  琚安安 ,  张鸿 ,  钟向丽 ,  廖敏

IPC: G06F30/367 ,  G01T1/167

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法、装置，其中，SiC MOSFET器件损伤机理的分析方法，包括：获取实体SiC MOSFET器件的参数信息；根据所述参数信息利用SRIM构建模拟SiC MOSFET器件；利用所述SRIM模拟不同能量的质子对所述模拟SiC MOSFET器件进行辐照，得到对应有质子能量的损伤信息集；根据所述对应有质子能量的损伤信息集分析所述实体SiC MOSFET器件的损伤机理。该方法所需要的时间少，资金少，无需花费大量时间精力进行实际操作；得出的实验结果直观且清晰，能准确判断质子对器件产生的影响，并且进行对比分析，将实验与测试结合在一起，能够准确得出能量损失等参数，对实验结果进行准确的分析。

公开(公告)号：CN113963760A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111143324.7

申请日：2021-09-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  顾朝桥 ,  潘霄宇 ,  周益春 ,  张凤祁 ,  张文首 ,  柳奕天 ,  琚安安 ,  张鸿 ,  钟向丽 ,  廖敏

IPC: G16C60/00

Abstract: 本发明公开了一种对SiC MOSFET器件电离辐射效应的数值分析方法，其包括：根据器件的结构、材料类型和掺杂浓度构建器件的二维仿真模型；从漂移‑扩散模型、迁移率模型、俄歇和间接复合模型、以及缺陷模型中，选取模型对所述器件电离辐射效应进行数值模拟；根据数值模拟数据得到所述器件各个端口的电学参数的变化。

公开(公告)号：CN111812481A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN202010711526.6

申请日：2020-07-22

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  顾朝桥 ,  潘霄宇 ,  周益春 ,  张凤祁 ,  张文首 ,  柳奕天 ,  琚安安 ,  张鸿 ,  钟向丽 ,  廖敏

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种累积电离辐射效应下半导体功率器件的可靠性的评价方法，包括：向样品器件施加预设偏置电压；对施加偏置电压后的样品器件进行辐照直至预设剂量点；测量施加辐照后的样品器件的电学特性参数；基于施加辐照前后的所述样品器件的电学特性参数对所述样品器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。本发明提出的评价方法能够便捷有效的对半导体功率器件在累积电离辐射效应下的可靠性进行评估。