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公开(公告)号：CN108037434A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711289526.6
申请日：2017-12-07
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种VDMOS器件的安全工作区域确定方法及装置，属于辐射效应及加固技术领域。解决无法准确定位半导体器件的单粒子敏感区域以及不同剂量下半导体器件安全工作区域与单粒子敏感性的变化趋势问题。包括：将开盖VDMOS器件设置在镜头视场内，进行第一次栅应力测试，确定第一栅极电流；进行第一次转移特性测试；通过激光微束扫描当漏极电压降低时，或确定第一栅极电流发生突变，或第一漏极电流发生突变，将当前扫描区域确定为单粒子效应敏感区域；进行第二次栅应力测试，将第二次栅应力测试的结果与第一次栅应力测试结果进行对比；并将进行第二次转移特性测试的测试结果与第一次转移特性测试的测试结果进行对比，确定单粒子效应类型。
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公开(公告)号：CN108597557B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810317130.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
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公开(公告)号：CN110187251A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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公开(公告)号：CN108492847A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810255157.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。
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公开(公告)号：CN110187251B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110907792A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911193449.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。
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公开(公告)号：CN108597557A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810317130.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
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公开(公告)号：CN108470735B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810317160.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L27/115 , H01L27/11502 , H01L21/263
Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。
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公开(公告)号：CN108962307A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810781001.2
申请日：2018-07-17
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/2295 , G11C11/221
Abstract: 本发明公开一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法及系统。对多个待加固的铁电存储器进行功能验证和全参数测试，获得功能验证结果和全参数测试结果；对所述待加固铁电存储器进行反应堆中子辐照，获得预辐照铁电存储器；对所述预辐照铁电存储器进行感生放射性监测，获得加固铁电存储器；对所述加固铁电存储器进行功能验证和全参数测试，将所述功能验证结果、所述全参数测试结果与所述加固铁电存储器功能验证结果、加固铁电存储器全参数测试结果进行比较；将所述正常加固铁电存储器进行单粒子翻转测试。实现了在不改变铁电存储器的顶层设计和生产工艺条件，经过加固的铁电存储器能够直接用于替换未加固的铁电存储器，节约了开发成本。
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