公开(公告)号：CN108305650A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810255158.1

申请日：2018-03-26

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  秦丽 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  罗尹虹 ,  钟向丽 ,  郭维新 ,  李波 ,  张阳 ,  琚安安 ,  魏佳男

IPC: G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种确定FeRAM工作状态的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：向FeRAM在设定电压下写入第一数据，将从所述FeRAM内回读的第二数据与所述第一数据进行匹配，将匹配合格的第一FeRAM在设定电压下写入第三数据，并将所述第一FeRAM通过辐射板放置在腔体内；在设定的工作方式下及设定的辐射剂量率下，对第一FeRAM辐照至设定的辐射剂量点，将完成辐射的所述第一FeRAM内回读第四数据，统计静态功耗电流、动态功耗电流与所述辐射剂量的关系，直至匹配不合格时结束试验，根据所述静态功耗电流，所述动态功耗电流和所述辐射剂量的关系确定所述FeRAM的工作状态。

公开(公告)号：CN108597557A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810317130.6

申请日：2018-04-10

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  琚安安 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  魏佳男 ,  潘霄宇 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  罗尹虹 ,  丁李利 ,  王坦 ,  张阳 ,  秦丽 ,  李波

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。

公开(公告)号：CN108597557B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201810317130.6

申请日：2018-04-10

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  琚安安 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  魏佳男 ,  潘霄宇 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  罗尹虹 ,  丁李利 ,  王坦 ,  张阳 ,  秦丽 ,  李波

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。

公开(公告)号：CN108492847A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810255157.7

申请日：2018-03-26

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  秦丽 ,  盛江坤 ,  欧阳晓平 ,  丁李利 ,  钟向丽 ,  郭维新 ,  李波 ,  张阳 ,  琚安安 ,  魏佳男

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。

公开(公告)号：CN108470735B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201810317160.7

申请日：2018-04-10

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  琚安安 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  魏佳男 ,  潘霄宇 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  罗尹虹 ,  丁李利 ,  王坦 ,  张阳 ,  秦丽 ,  李波

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。

公开(公告)号：CN108962307A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810781001.2

申请日：2018-07-17

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  魏佳男 ,  琚安安 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  秦丽 ,  潘霄宇 ,  张阳 ,  欧阳晓平 ,  李波

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/2295 ,  G11C11/221

Abstract: 本发明公开一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法及系统。对多个待加固的铁电存储器进行功能验证和全参数测试，获得功能验证结果和全参数测试结果；对所述待加固铁电存储器进行反应堆中子辐照，获得预辐照铁电存储器；对所述预辐照铁电存储器进行感生放射性监测，获得加固铁电存储器；对所述加固铁电存储器进行功能验证和全参数测试，将所述功能验证结果、所述全参数测试结果与所述加固铁电存储器功能验证结果、加固铁电存储器全参数测试结果进行比较；将所述正常加固铁电存储器进行单粒子翻转测试。实现了在不改变铁电存储器的顶层设计和生产工艺条件，经过加固的铁电存储器能够直接用于替换未加固的铁电存储器，节约了开发成本。

公开(公告)号：CN108470735A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810317160.7

申请日：2018-04-10

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  琚安安 ,  张凤祁 ,  欧阳晓平 ,  魏佳男 ,  潘霄宇 ,  郭维新 ,  钟向丽 ,  罗尹虹 ,  丁李利 ,  王坦 ,  张阳 ,  秦丽 ,  李波

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/11502 ,  H01L21/263

Abstract: 本发明公开了一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法，包括将铁电存储器的管脚短接；选择等效能量为106eV的中子束，且注量为1013/cm2～1014/cm2；用中子束对铁电存储器进行辐照，当达到1013/cm2～1014/cm2注量时停止辐照。本发明在不变动器件内部版图信息，不另外添加抗辐照电路，不影响器件使用功能的前提下利用中子预处理的办法提高铁电存储器抗扰动性能的加固。

公开(公告)号：CN107358977A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710511158.9

申请日：2017-06-29

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  张阳 ,  张凤祁 ,  钟向丽 ,  郭维新 ,  魏佳男 ,  王浩杰

IPC: G11C29/10 ,  G11C29/56

CPC classification number: G11C29/10 ,  G11C29/56

Abstract: 本发明公开了一种用X射线进行单粒子软错误的试验方法，包括如下步骤：对SRAM试验器件加载低于正常电压的偏置电压；对SRAM试验器件进行X射线辐射，记录试验数据；以及根据试验数据计算偏置电压下对应的单粒子翻转截面。本发明通过使用X射线进行单粒子软错误的试验方法证实了纳米级器件在X射线辐照过程中，所产生的次级电子，可以导致器件发生翻转，相比于以前的研究，对纳米级器件的单粒子效应的研究，增加了一种地面模拟源，相比于其它辐射源，具有剂量率控制准确、辐照易于屏蔽、无辐射残留，机时容易获得的优点。