公开(公告)号：CN114563642B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202210189856.2

申请日：2022-02-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  胡嘉文 ,  张晋新 ,  冯亚辉 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  白如雪 ,  刘益维

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置，包括：检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上；对真空腔内进行抽真空；在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能；对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定预设温度辐照下，锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析，得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况，为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。

公开(公告)号：CN113010929B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202110193428.2

申请日：2021-02-20

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  刘晔 ,  琚安安 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  冯亚辉 ,  张凤祁 ,  张鸿

IPC: G06F30/10 ,  G01N21/84 ,  G01N23/2251

Abstract: 本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。

公开(公告)号：CN116106710A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211634449.4

申请日：2022-12-19

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  刘益维 ,  张凤祁 ,  冯亚辉 ,  潘霄宇 ,  钟向丽 ,  胡嘉文 ,  白如雪

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及微电子领域，具体涉及一种锗硅异质结晶体管的质子引发单粒子效应的测试方法，其特征在于，包括：在常温条件下，对第一待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第一瞬态脉冲数据；在预设温度下，对第二待测锗硅异质结晶体管组进行质子辐照，获得单粒子效应产生的第二瞬态脉冲数据，所述预设温度低于常温；基于所述第一瞬态脉冲数据和所述第二瞬态脉冲数据，分析第二锗硅异质结晶体管组在所述预设温度下质子引发单粒子效应的产生机制。本发明通过分别对常温和预设温度下的锗硅异质结晶体管进行质子辐照，并对检测获得的瞬态脉冲数据对比分析，进而分析得到质子引发单粒子效应的产生机制。

公开(公告)号：CN113010929A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110193428.2

申请日：2021-02-20

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  刘晔 ,  琚安安 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  冯亚辉 ,  张凤祁 ,  张鸿

IPC: G06F30/10 ,  G01N21/84 ,  G01N23/2251

Abstract: 本发明公开了一种构建存储单元物理模型和获取单粒子翻转截面的方法，其包括：包括获取模板存储器和待测存储器的等比例放缩系数K，其中所述待测存储器和所述模板存储器均严格遵循等比例放缩原则；根据所述模板存储器的参数和所述等比例放缩系数K确定所述待测存储器的待测存储单元的建模参数，其中所述待测存储单元为所述待测存储器中的其中一个存储单元；根据所述待测存储单元的建模参数构建所述待测存储单元的物理结构模型。本专利提出的方案简单易操作、时间短且不会对器件造成不可逆的损伤。

公开(公告)号：CN114068694A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111330981.2

申请日：2021-11-11

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  冯亚辉 ,  潘霄宇 ,  张晋新 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  张鸿 ,  刘晔

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管抗电荷收集的测试方法及系统，该测试方法包括：对待测器件进行测试，并记录第一测试结果；基于第一测试结果筛选出待加固器件；对待加固器件进行分组编号，分别对不同组的待加固器件设置不同的中子注量，对待加固器件进行中子辐照加固处理，使得每组加固后的器件达到各自预定的中子注量值；对每组加固后的器件进行测试得到第二测试结果；根据第二测试结果与第一测试结果的比较确定目标加固器件；确定目标中子注量值，目标中子注量值为目标加固器件相对应的预定的中子注量值。可分析在空间极端辐射环境下不同辐射因素对器件性能的影响，为了解器件在空间极端环境下的可靠性及提出相应的加固措施提供参考。

公开(公告)号：CN114563642A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210189856.2

申请日：2022-02-28

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  胡嘉文 ,  张晋新 ,  冯亚辉 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  白如雪 ,  刘益维

IPC: G01R31/00

Abstract: 本发明提出的一种锗硅异质结晶体管的电离总剂量效应的测试方法及装置，包括：检测多个锗硅异质结晶体管的电学性能，筛选出待测器件；将待测器件分组后与多个PCB板分别对应连接，得到多个待测器件组；将待测器件组固定在真空腔内部的无氧铜板上；对真空腔内进行抽真空；在预设条件下分别检测待测器件组的电学性能；对每个待测器件组的Gummel特性曲线进行对比分析，确定预设温度辐照下，锗硅异质结晶体管受到总剂量效应影响的Gummel特性变化。通过对不同条件下晶体管性能的检测及对比分析，得到极端低温下载流子冻析效应和电离总剂量效应的作用下晶体管的特性变化情况，为了解晶体管在空间极端环境下的可靠性以及提供相应的加固措施提供依据。

公开(公告)号：CN114068694B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202111330981.2

申请日：2021-11-11

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  冯亚辉 ,  潘霄宇 ,  张晋新 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  张鸿 ,  刘晔

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/08

公开(公告)号：CN113901702A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202111235714.7

申请日：2021-10-22

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  刘晔 ,  琚安安 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  冯亚辉 ,  张凤祁 ,  张鸿

IPC: G06F30/25

Abstract: 本发明公开了一种LET值仿真方法，包括：建立器件模型，器件模型包含灵敏体积区域；建立粒子输运模型；设置粒子源、及粒子源中粒子入射LET值，向器件模型发射N个粒子；计算N个粒子在器件模型灵敏体积区域的沉积能量ΔE、径迹长度Δl，及在灵敏体积区域的有效LET值Leff，Leff计算公式为其中ρ为灵敏体积区域材料的密度。本发明提出的技术方案，通过建立器件模型及粒子输运模型，计算粒子在器件灵敏体积区域的有效LET值，缓解了采用粒子入射LET值计算单粒子翻转截面难以表征实际物理过程的技术问题。

公开(公告)号：CN113176485A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110412508.2

申请日：2021-04-16

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郭红霞 ,  冯亚辉 ,  潘霄宇 ,  欧阳晓平 ,  钟向丽 ,  张晋新 ,  刘晔 ,  张鸿

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应测试方法及系统，其中测试方法包括：将试验锗硅异质结双极晶体管放置于预设温度下，并对所述试验锗硅异质结双极晶体管施加预设偏置条件；对所述预设温度和所述预设偏置条件下的所述试验锗硅异质结双极晶体管的目标区域施加第一预设辐照条件的激光微束，得到所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果；基于所述目标区域中每一个坐标点的瞬变电流结果，得到所述试验锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应的敏感区域。本发明的测试方法可有效测出锗硅异质结双极晶体管的单粒子效应。