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公开(公告)号：CN119203428A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411697205.X
申请日：2024-11-26
Applicant: 湘潭大学
IPC: G06F30/17 , G06F30/27 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06F111/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及机械加工技术领域，公开了一种基于BP神经网络的硬质合金离散元参数标定方法，包括如下步骤：根据物料物性参数构建离散元本构模型；设定待标定参数及范围；根据待标定参数及范围进行结合实验设计(DOE)；将DOE结合实验设计结果作为输入数据导入离散元本构模型进行离散元模拟；获得足够的训练样本；数据建立训练集；得到待标定参数与离散元模拟的输出数据之间的近似模型；以实际力学性能为目标标定出待标参数，然后将模拟结果与物理测试结果进行比较。本发明的技术方案解决了现有硬质合金颗粒参数获取难度大、测量精度低的问题，为硬质合金颗粒数值模拟试验BPM粘结键参数确定提供有效技术手段。
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公开(公告)号：CN114169312A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111494073.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 湘潭大学 , 湖南海龙国际智能科技股份有限公司
IPC: G06F40/211 , G06F16/35 , G06F40/126 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 一种针对司法裁判文书的两阶段混合式自动摘要方法，包括以下步骤：1)对裁判文书中关键句子中的相似度进行计算，以及对关键句子的摘要模型进行编码、分类，最后将摘要关键句抽取；2)从裁判文书中抽取出句子组合成关键句子合集；3)将步骤2)中的关键句子合集作为生成式模型的输入，通过模型编码、解码生成文本摘要。本发明能从众多裁判文书中的长篇幅文本进行浓缩和提炼获取精确的有用信息生成摘要。本发明提供的方法生成的摘要可读性强、连续性强、辨识度高，保证本文与摘要之间的忠实度。
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公开(公告)号：CN108597557B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810317130.6
申请日：2018-04-10
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种以质子为辐射源检测存储器单粒子扰动的测试方法，包括以下步骤：选取存储器样品；对选取的存储器样品进行加电全参数测试，验证存储器样品的功能；在中高能质子加速器上选择具有一定能量以及注量率的质子束流；将存储器和电路板连接好，进行再一次加电测试；向所有的存储器中填入数据；从存储器中回读数据，待测试系统稳定时打开满足要求的质子束流，对单个存储器进行辐照；将后续的存储器依次移动至束流出束位置，更换质子束流的能量，直至将所有的能量点测完。本发明以质子为辐射源检测抗单粒子扰动的效果，相对于其他辐照源更加可靠和简便，并且在提高效率的同时保证了数据提取的准确性。
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公开(公告)号：CN110187251A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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公开(公告)号：CN108492847A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810255157.7
申请日：2018-03-26
Applicant: 湘潭大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明公开了一种确定FeRAM敏感参数的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：从完成辐射的FeRAM内回读第一数据，并将所述回读数据与在辐射之前写入所述FeRAM内的第二数据进行匹配，将匹配合格的所述FeRAM确定为第一FeRAM；每到设定的辐射剂量点时，通过测试仪器获取所述第一FeRAM的DC参数和AC参数，通过QMU公式分别对所述DC参数和所述AC参数进行分析，当根据QMU公式确定的可信度比值小于1时，确定所述DC参数或所述AC参数内包括的一个参数失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009091A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410249488.1
申请日：2014-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , B82Y10/00 , H01L29/1033
Abstract: 本发明公开了一种基于规整性碳纳米管条纹阵列的铁电场效应晶体管及其制备方法。该晶体管单元结构为：底层为底电极层(1)；中间层依次为铁电薄膜绝缘栅层(2)和规整性碳纳米管条纹阵列沟道层(3)，规整性碳纳米管条纹阵列沟道层(3)上为顶层，顶层为晶体管源极(4)和漏极(5)；所述的碳纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或多壁碳纳米管。该铁电场效应晶体管开态电流大、开关比大、载流子迁移率高、开启电压小、存储窗口宽，同时具有结构简单、不需要缓冲层、铁电层和半导体层界面接触好、容易实现大面积及柔性器件的优势。所述的制备方法工艺简单、操作方便、不需要昂贵设备、成本低廉，易于大面积、规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN116399946A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310201387.6
申请日：2023-03-03
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明提出的一种SiGe HBT总剂量效应感生缺陷分布的检测方法，包括：在第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数；在第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第一1/f噪声参数，第二预设温度低于第一预设温度且低于常温；在预设辐照条件和第一预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第三1/f噪声参数；在预设辐照条件和第二预设温度下，利用1/f噪声对待测SiGe HBT进行检测，获得第四1/f噪声参数；根据第一1/f噪声参数、第二1/f噪声参数、第三1/f噪声参数及第四1/f噪声参数，确定低温条件下待测SiGe HBT中总剂量效应感生缺陷分布变化。
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公开(公告)号：CN110187251B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910493496.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 湘潭大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。
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公开(公告)号：CN110907792A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911193449.3
申请日：2019-11-28
Applicant: 湘潭大学
Abstract: 本发明公开了一种DLTS结合DLOS确定GaN辐照缺陷能级的方法及装置。在DLTS测试系统上添加光学系统，成为DLTS与DLOS耦合的测试系统，可以同时改变待测样品所处环境的温度和光子能量条件，分别获得不同测试条件下的待测样品的电容值，根据电容值变化分析判断辐照缺陷能级，使得在确定GaN辐照缺陷能级上不受温度的影响，大幅缩短测试时间，并且对被测材料的能级具有选择性。
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