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公开(公告)号：CN119221113A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411269750.9
申请日：2024-09-11
Applicant: 河北工业大学 , 河北工业大学创新研究院(石家庄)
Abstract: 本发明属于氮化物材料制备技术领域，提供了一种用于生长氮化铝的衬底预处理及单晶薄膜制备方法。该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒为铝源，在蓝宝石衬底上使用金属氮化气相外延(MNVPE)装置制备得到。其中，通过预处理方法在蓝宝石衬底上形成凹陷结构，之后再分三步进行氮化铝单晶薄膜的生长。本申请提供的用于氮化铝单晶薄膜的预处理及制备方法，一方面铝受热产生的蒸汽对蓝宝石有刻蚀作用，利于氮化铝的形核和晶柱合拢，另一方面三步生长可促进位错的湮灭和应力释放，从而改善金属氮化气相外延法制备的氮化铝薄膜的晶体质量。
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公开(公告)号：CN118471646A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410465151.8
申请日：2024-04-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种基于折纸磁化软磁薄膜的电子皮肤。该电子皮肤包括钕铁硼‑硅胶磁性薄膜、TPE弹性基底、硅胶弹性体、TMR元件和柔性印刷电路板；其中，9个TMR元件以3×3阵列焊接在柔性印刷电路板上，硅胶弹性体浇筑在柔性印刷电路板上并将TMR元件阵列整体包覆；9个TPE弹性基底覆盖在硅胶弹性体上，同样以3×3阵列分布，并位于各个TMR元件的正上方；每个TPE弹性基底上覆盖有一块钕铁硼‑硅胶磁性薄膜；本发明的电子皮肤具有灵敏度高，尺寸小，不易发生塑性形变等优点，可以实现对静态力和动态力的精确测量。
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公开(公告)号：CN117516631A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311645225.8
申请日：2023-12-04
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种用于力和倾角识别的柔性触觉传感器。所述的传感器的组成包括钕铁硼‑有机硅弹性体磁性薄膜、Z轴TMR元件、有机硅弹性基底、X轴TMR元件和柔性印刷电路板；其中，Z轴TMR元件、X轴TMR元件间隔分布焊接在柔性印刷电路板上，有机硅弹性体浇筑在柔性印刷电路板上并将TMR元件整体包覆；钕铁硼‑有机硅弹性体磁性薄膜覆盖在有机硅弹性体的上表面；所述的Z轴TMR元件为TMR2503、X轴TMR元件为TMR2003。本发明的柔性触觉传感器具有灵敏度高，测量范围大，不易发生塑性形变等优点，可以实现对弯曲角度、静态力以及动态力的精确测量。
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公开(公告)号：CN113279008B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202110539929.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法。所述器件自下而上依次有TCO层、ZnO层、CdS层、CIGS层、Mo层、In层、GaN层，n+‑GaN层、蓝宝石层。其制备步骤如下：在洁净的玻璃片上放置GaN薄膜，在GaN薄膜表层均匀放置In颗粒，放置完成之后，在In颗粒表面放置CIGS太阳能电池，按压平整，在表面放上清洗干净的玻璃皿，将其放入真空干燥箱中，抽真空，加热一段时间，冷却到室温，得到氮化镓串联CIGS的器件。本发明的器件相对于Si基GaN器件，节能环保,且工艺简单。使用本发明作为阳极进行光合作用，具有光电流密度大，阴极电势高的优点，并且具有较强的光吸收系数，有利于解决新能源的开发利用以及对CO2带来环境问题的治理。
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公开(公告)号：CN110219050B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910621097.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明属于半导体薄膜材料技术领域，公开了一种氮化铝单晶薄膜的制备方法，该方法是以氮气为氮源，以铝颗粒作为铝源，在异质衬底上基于特制装置制备单晶薄膜氮化铝，整个制备过程分为三个阶段：首先控制源区和生长区同时加热至700‑900℃，保温，再控制源区温度升至1100～1400℃，生长区温度升至1000‑1200℃，保温，再控制生长区温度升至1250～1550℃，保温生长，冷却至室温后取出样品，所述的异质衬底为生长有氮化镓的蓝宝石。本发明的方法生长氮化铝单晶薄膜不仅结晶质量高，可获得自支撑薄膜，而且还具有成本低、生长速度快、无危险气体、绿色环保等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107845848B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201711065150.0
申请日：2017-11-02
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓基器件，自下而上有玻璃衬底、钼层、CIGS层、CdS层、本征ZnO层、TCO层、键合界面层、GaN层、InGaN层、NiO纳米颗粒层。其制备步骤如下：在玻璃衬底上沉积钼层，在其上共蒸发生长CIGS层，再依次沉积CdS层、ZnO层、TCO层；在GaN衬底上生长InGaN层；通过键合技术将GaN衬底键合于TCO层上，再在InGaN层表面生长NiO纳米颗粒层，获得用于人工光合作用的氮化镓基器件。本发明的氮化镓基器件具有吸收系数高、电流易调整且稳定性高的优点，可作为光阳极材料用于人工光合作用中，对减少二氧化碳排放以及新能源的开发利用具有非常重要的意义。
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公开(公告)号：CN107641837A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710827866.3
申请日：2017-09-14
Applicant: 河北工业大学
IPC: C30B33/02
Abstract: 本发明公开了一种恢复NTD区熔单晶硅真实电阻率的退火方法，包括如下步骤：A、对中子辐照掺杂后的区熔硅单晶进行腐蚀清洗表面；B、将清洗干净的硅单晶进行表面钝化处理；C、将钝化处理后的硅单晶装进通入氮气氛围的退火炉石英管中，进行较快速率的退火处理；D、关闭氮气流量阀，开启氧气流量阀，对单晶进行退火处理；E、关闭氧气流量阀，从石英管中取出硅单晶，酸洗去除氧化层，再喷砂测试单晶电阻率及少子寿命。通过本发明方法退火后的NTD区熔硅单晶，可以有效的反应出电阻率的真实值，并且经过多次退火，单晶电阻率不会发生较明显的改变，并且单晶的少子寿命得到明显的提高。
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公开(公告)号：CN106711248A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611097870.0
申请日：2016-12-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。
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公开(公告)号：CN106582332A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611174762.9
申请日：2016-12-19
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种超疏水复合微孔膜的制备方法。该方法包括以下步骤：首先通过粗糙基底辅助相转化法制备聚偏氟乙烯（PVDF）高度疏水微孔膜作为基膜，然后配置多壁碳纳米管（MWCNTs）均匀分散液，采用恒压过滤法，用制备好的PVDF基膜在恒压下过滤MWCNTs分散液，制得PVDF/MWCNTs复合膜，再经聚二甲基硅氧烷（PDMS）的正己烷溶液涂覆，制得PVDF/MWCNTs/PDMS超疏水复合微孔膜。本发明得到的复合微孔膜静态水接触角可达162°，滚动角为10°‑20°，100kPa下的氮气通量>0.3m3/(m2·s)，抗拉伸强度>2.6MPa，断裂伸长率>96%，可以应用于膜蒸馏、膜吸收等膜接触过程。
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公开(公告)号：CN106048673A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610369134.X
申请日：2016-05-27
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3Al纳米线的制备方法，该方法是采用多孔阳极氧化铝(AAO)模板结合电化学沉积法,以Al2(SO4)3·7H2O、Cr2(SO4)3·6H2O、H3BO3和抗坏血酸的混合液为电镀液，并调节电镀液pH值为2.5～3.5，电镀生长后刻蚀掉模板，制备得到Cr3Al纳米线阵列。本发明的方法采用简单的电化学沉积工艺，通过对电镀液的选择及生长参数的调节，首次实现了在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备铬三铝合金磁性纳米线有序阵列。
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