公开(公告)号：CN106711248B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201611097870.0

申请日：2016-12-03

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 常雪岩 ,  陈贵锋 ,  张辉 ,  代学芳 ,  王永 ,  王海涛

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。

公开(公告)号：CN106711248A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201611097870.0

申请日：2016-12-03

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 常雪岩 ,  陈贵锋 ,  张辉 ,  代学芳 ,  王永 ,  王海涛

IPC: H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02363

Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。