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公开(公告)号:CN113279008B
公开(公告)日:2022-03-22
申请号:CN202110539929.1
申请日:2021-05-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法。所述器件自下而上依次有TCO层、ZnO层、CdS层、CIGS层、Mo层、In层、GaN层,n+‑GaN层、蓝宝石层。其制备步骤如下:在洁净的玻璃片上放置GaN薄膜,在GaN薄膜表层均匀放置In颗粒,放置完成之后,在In颗粒表面放置CIGS太阳能电池,按压平整,在表面放上清洗干净的玻璃皿,将其放入真空干燥箱中,抽真空,加热一段时间,冷却到室温,得到氮化镓串联CIGS的器件。本发明的器件相对于Si基GaN器件,节能环保,且工艺简单。使用本发明作为阳极进行光合作用,具有光电流密度大,阴极电势高的优点,并且具有较强的光吸收系数,有利于解决新能源的开发利用以及对CO2带来环境问题的治理。
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公开(公告)号:CN113279008A
公开(公告)日:2021-08-20
申请号:CN202110539929.1
申请日:2021-05-18
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于人工光合作用的氮化镓串联CIGS的器件及其制备方法。所述器件自下而上依次有TCO层、ZnO层、CdS层、CIGS层、Mo层、In层、GaN层,n+‑GaN层、蓝宝石层。其制备步骤如下:在洁净的玻璃片上放置GaN薄膜,在GaN薄膜表层均匀放置In颗粒,放置完成之后,在In颗粒表面放置CIGS太阳能电池,按压平整,在表面放上清洗干净的玻璃皿,将其放入真空干燥箱中,抽真空,加热一段时间,冷却到室温,得到氮化镓串联CIGS的器件。本发明的器件相对于Si基GaN器件,节能环保,且工艺简单。使用本发明作为阳极进行光合作用,具有光电流密度大,阴极电势高的优点,并且具有较强的光吸收系数,有利于解决新能源的开发利用以及对CO2带来环境问题的治理。
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