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公开(公告)号：CN109712129A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811587155.4
申请日：2018-12-25
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种基于数学形态学的电弧图像处理方法，该方法的步骤是：1)将高速摄像机采集到的彩色电弧图像转变为灰度图像；2)对灰度电弧图像进行滤波，滤除图像中的噪声；滤波的具体过程为用灰度图像与滤波结构元素进行开运算，再加上与滤波结构元素进行闭运算得到的矩阵；3)对滤波后的图像进行边缘检测，得到电弧轮廓；边缘检测的具体过程为经过滤波后的图像与边缘结构元素先进行闭运算，再减去与边缘结构元素进行开运算得到的矩阵；4)用最大类间方差法得到边缘检测后的图像阈值并对图像进行二值化处理。该方法采用数学形态学对电弧图像进行滤波处理和边缘检测，得到其连续边缘轮廓，从而能清晰地分析电弧从起弧到熄灭的演化规律。
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公开(公告)号：CN106711248A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611097870.0
申请日：2016-12-03
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种降低铸锭多晶硅片表面反射率的方法。本发明的主要目的是降低硅片的表面反射率，增加太阳能电池的光能利用率，其主要工艺流程如下：(1)清洗；(2)第一次酸腐蚀；(3)碱腐蚀；(4)第二次酸腐蚀；(5)碱洗；(6)表面钝化。本发明的主要特点是采用多次酸碱结合的方法对材料表面进行腐蚀，经过大量的实验验证，这种工艺能有效的降低多晶硅片的表面反射率。通过金相显微镜观测表面，可以看出多晶硅片表面腐蚀坑的深度、宽度和均匀性都比较理想，经过紫外分光光度计仪器测定，反射率平均达到了18.92％，低于正常酸腐蚀技术的反射率，并且本发明的稳定性也比较理想。
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公开(公告)号：CN102683051B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210170416.9
申请日：2012-05-29
Applicant: 河北工业大学
IPC: H01H1/0237 , C22C32/00 , C22C5/06 , C22C1/05
Abstract: 本发明是低压开关电器用银稀土氧化物触头材料的溶胶-凝胶制备方法。该材料的化学组成为：稀土金属氧化物、Me的氧化物、SnO2和金属银。其中各氧化物占氧化物总质量的质量百分比为：稀土金属氧化物为1～5%，Me的氧化物为1～5%，其余为SnO2；三种氧化物质量之和与金属银的质量百分比为氧化物：银＝85~95：15~5。本发明的低压开关电器用银稀土氧化物合金触头材料不含Cd，无毒，是环保型触头材料，触头的使用寿命延长，具有较高的硬度、密度及电导率，从而提高了电器的接触性能及可靠性。
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公开(公告)号：CN100369171C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410094083.1
申请日：2004-12-29
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明低压开关电器用银基稀土合金触头材料及其制备方法，涉及银基稀土合金电开关触点材料，其化学组成为：稀土金属氧化物x＝4～7%、Me的氧化物y＝1～3%、SnO2z＝(12-x-y)%、余量为金属银，其中，稀土金属为Ce、Pr或Nd；Me为Bi、In或Tl；其制备方法是化学共沉淀制粉法，并将化学共沉淀法得到的共沉淀物进行成形及烧结处理。该材料是一种可靠性高、工作寿命长的环保型的触头材料，且价格便宜、制备成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108197756A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810077173.1
申请日：2018-01-26
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明涉及基于模糊综合评判确定AgSnO2触头材料第二相最优粒度的方法，该方法将模糊综合评判应用于AgSnO2触头材料性能评估并确定第二相最优粒度，对AgSnO2触头材料性能进行定量化分析，从而得到一个更加直观具体，清晰的总体评价，对所有待评估对象进行排序，选出最优的对象，即可达到AgSnO2触头材料中第二相粒度最优值选取的目的，更准确的反应AgSnO2触头材料工作性能。本发明采用改进型层次分析法得到的主观权重和熵权法得到的客观权重相结合的思想，用拉格朗日乘子优化法对各评价要素进行组合权重计算，充分减少权重计算的主观性，发掘原始数据中所包含的信息量，使各指标权重的确定更加精确，综合评估不同第二相粒度条件下的AgSnO2触头材料性能。
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公开(公告)号：CN104360697A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410492378.8
申请日：2014-09-24
Applicant: 河北工业大学 , 国家电网公司 , 国网新源张家口风光储示范电站有限公司
Abstract: 本发明为一种三相逆变系统IGBT模块功率-温度控制及检测装置，该装置的组成包括：整流调压滤波电路、三相桥式逆变电路、温度传感器、温度采集存储系统、继电器、散热风扇、三相可调负载、IGBT模块门极SPWM信号控制电路和计算机，其中，三相桥式逆变电路的输入端连接整流调压滤波电路，三相桥式逆变电路输出端连接三相可调负载，门极SPWM信号控制电路输出端连接三相桥式逆变电路中IGBT模块的门极；温度传感器、温度采集存储系统以及继电器依次连接，继电器分别连接散热风扇和三相可调负载，温度传感器和散热风扇分别与三相桥式逆变电路相连；发明能够自动实现对IGBT模块铜底板温度的控制，完成功率与温度对IGBT模块可靠性影响的试验。
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公开(公告)号：CN111951906A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010807408.5
申请日：2020-08-12
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明为一种对AgSnO2触头材料的性能评价方法，该方法将灰色关联度和改进的熵权TOPSIS评价法应用于单一变量变化的AgSnO2触头材料性能的定量化分析，从而得到一个更加直观具体、清晰的总体评价，选出最优的对象，即可达到AgSnO2触头材料性能最优值选取的目的，更准确的反映AgSnO2触头材料的工作性能。因此，本发明首先从成本消耗角度出发建立评价指标进行分析，采用熵权法对各评价指标进行权重计算，减少权重计算的主观性，发掘原始数据中所包含的信息量，使各指标权重的确定更加精确；再综合灰色关联度和欧氏距离计算出相对贴近度并排序来判断被评价对象的优劣，并建立评估结果优劣等级，从而对AgSnO2触头的性能进行定量化分析评价。
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公开(公告)号：CN104360697B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410492378.8
申请日：2014-09-24
Applicant: 河北工业大学 , 国家电网公司 , 国网新源张家口风光储示范电站有限公司
Abstract: 本发明为一种三相逆变系统IGBT模块功率‑温度控制及检测装置，该装置的组成包括：整流调压滤波电路、三相桥式逆变电路、温度传感器、温度采集存储系统、继电器、散热风扇、三相可调负载、IGBT模块门极SPWM信号控制电路和计算机，其中，三相桥式逆变电路的输入端连接整流调压滤波电路，三相桥式逆变电路输出端连接三相可调负载，门极SPWM信号控制电路输出端连接三相桥式逆变电路中IGBT模块的门极；温度传感器、温度采集存储系统以及继电器依次连接，继电器分别连接散热风扇和三相可调负载，温度传感器和散热风扇分别与三相桥式逆变电路相连；发明能够自动实现对IGBT模块铜底板温度的控制，完成功率与温度对IGBT模块可靠性影响的试验。
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