一种用于生长氮化铝的衬底预处理及单晶薄膜制备方法

    公开(公告)号:CN119221113A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202411269750.9

    申请日:2024-09-11

    Abstract: 本发明属于氮化物材料制备技术领域,提供了一种用于生长氮化铝的衬底预处理及单晶薄膜制备方法。该方法是以氮气为氮源,以铝颗粒为铝源,在蓝宝石衬底上使用金属氮化气相外延(MNVPE)装置制备得到。其中,通过预处理方法在蓝宝石衬底上形成凹陷结构,之后再分三步进行氮化铝单晶薄膜的生长。本申请提供的用于氮化铝单晶薄膜的预处理及制备方法,一方面铝受热产生的蒸汽对蓝宝石有刻蚀作用,利于氮化铝的形核和晶柱合拢,另一方面三步生长可促进位错的湮灭和应力释放,从而改善金属氮化气相外延法制备的氮化铝薄膜的晶体质量。

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