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公开(公告)号：CN118053908A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410133115.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管存储器及制备方法，属于集成电路器件技术领域。所述氮化镓晶体管存储器包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层、本征氮化镓层和本征铝镓氮层，所述本征铝镓氮层上并列设置有氧化铝隧穿层、源极和漏极，所述氧化铝隧穿层上依次生长有HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层以及栅极；其中，采用GaN/AlGaN异质结所产生的二维电子气来作为存储在HfZrO铁电材料层中的电子来源。本发明采用有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)在本征铝镓氮层上依次外延出氧化铝隧穿层、HfZrO铁电材料层、氧化铝绝缘层的结构，形成了氮化镓晶体管存储器。本发明提供的氮化镓基存储器件基于氮化镓基三极管结构，具有存储速率高、存储稳定等优势。
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公开(公告)号：CN115985970B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211722619.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种低正向导通电压氧化镓肖特基二极管及其制备方法，包括自下而上依次叠层的阴极、n+‑Ga2O3外延层、n‑‑Ga2O3外延层和阳极；其中，所述n+‑Ga2O3外延层与所述阴极之间构成欧姆接触，所述阴极为钛和金的叠层；所述n‑‑Ga2O3外延层与所述阳极之间形成肖特基接触，所述阳极为具有低功函数的材料和金的叠层。本发明降低了器件结构的复杂性的同时降低了正向导通电压，从而提高了二极管器件性能，实现正向导通电压小，有利于应用在微波功率整流方面。
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公开(公告)号：CN115360235A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210951099.8
申请日：2022-08-09
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/283 , H01L21/329 , C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，氮化镓肖特基势垒二极管，由衬底、缓冲层、n+GaN外延层、n‑GaN外延层、欧姆电极、肖特基电极和导电层组成；其中，所述衬底、所述缓冲层、所述n+GaN外延层和所述n‑GaN外延层自下而上依次接触；所述欧姆电极与所述n+GaN外延层的上表面构成欧姆接触；所述肖特基电极与所述n‑GaN外延层的上表面构成肖特基接触；所述欧姆电极和所述肖特基电极的上表面覆盖导电层。本发明采用等离子体氮化形成的氮化镍作为肖特基电极，具有更高的稳定性和更低的反向泄漏电流。
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公开(公告)号：CN119372698A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411482216.6
申请日：2024-10-23
Applicant: 江南大学
IPC: C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/053 , C25B11/059
Abstract: 本发明公开了一种多功能中间层修饰的硅基纳米线光电阴极，包括p‑Si基底层、纳米线形貌层、CdS层和MoS2助催化剂层；其制备方法为：(1)将p‑Si基底清洗干净，吹干备用；(2)在第一沉积液中沉积，制得表面吸附银粒子的p‑Si基底；(3)放入刻蚀液中刻蚀，在p‑Si基底上形成纳米线结构；(4)放入第二沉积液中沉积，在纳米线结构上形成CdS层；(5)将步骤(4)处理后的p‑Si基底作为工作电极，在电沉积液中沉积，制得所述硅基纳米线光电阴极。本发明光电阴极中CdS层与MoS2助催化剂层，减少两者直接负载的晶格失配问题，同时与硅基底形成异质pn结结构，多层协同作用，显著提高了光电化学性能。
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公开(公告)号：CN118583846A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410635544.9
申请日：2024-05-22
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明属于光电化学传感器领域，特别是一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器及其制造方法。一种硅基亚硝酸盐光电化学传感器，其具体结构为，下至上层叠构建的铝(Al)背电极欧姆接触层、微纳加工处理的n型单晶硅(n‑Si)基底吸光层、表面金(Au)特异性层。本发明提出将微纳加工工艺以及物理生长法引入到光电化学传感器设计中，解决了传统化学型传感器重现性和稳定性差的问题，从而提升并拓宽了硅基光电化学传感器的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118392951A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410466788.9
申请日：2024-04-18
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS高灵敏度湿度传感器及其制备方法，属于MEMS传感器技术领域。本发明的高灵敏度湿度传感器，在两块衬底上刻蚀形成凹槽，分别在两个凹槽内设置立体螺旋线圈电感和平面螺旋电感，并分别填充体积随湿度增加而增大的湿敏材料和介电常数随湿度增加而增大的湿敏材料，当湿度变化时，立体螺旋线圈电感的电感值和等效电容的电容值，且电容值变化量比传统方式更高，因此，当湿度变化量相同时，本发明湿度传感器的谐振点具有更大的偏移量，在很大程度上提高了湿度传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN118336389A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410384454.7
申请日：2024-04-01
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种圆极化超表面湿度传感天线，属于物联网传感器领域。所述天线包括：超表面阵列层和圆极化微带天线，所述超表面阵列层和圆极化微带天线之间设有第一介质基板层；超表面阵列层由风扇叶片形单元构成，相邻鼠标形超表面单元贴片之间的缝隙上方设有高分子感湿膜；本发明的天线实现了对环境中无线微波能量的收集，并将电磁波传输至整流器。天线加载了湿敏电容，具备感知空气湿度的能力，能够随着湿度的变化而调节‑10dB阻抗带宽和轴比带宽，为整流器提供了一种自适应性的保护机制，使得整流器在正常环境下能够稳定运行，而在极端湿度环境下降低工作效率，有效地保护整流器免受外部高湿恶劣环境的影响。
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公开(公告)号：CN118054576A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410146050.4
申请日：2024-02-02
Applicant: 江南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高Q值电感的低功率微波整流器，属于微波无线能量传输技术领域。所述微波整流器包括：50欧姆匹配微带线、隔直电容、T型微带匹配网络、整流二极管、高Q值电感、调谐微带线、带阻微带滤波器和直流负载；本发明在整流二极管阳极引入了一个高Q值电感，明显降低了二极管在亚阈值区的动态电阻损耗，从而提升了整流器在低功率下的整流效率，且用单二极管并联整流结构，则其在正向导通时具有较低的导通压降，从而减少了功率损耗；本发明还引入了一个基于多枝节微带线的带阻滤波器，有效地抑制了整流二极管产生的二次谐波、三次谐波，可以为一些低功率设备提供稳定电压，并且提高整流器的直流转换效率。
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公开(公告)号：CN116209337A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310147195.1
申请日：2023-02-22
Applicant: 江南大学
IPC: H10N30/30 , H10N30/01 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01L1/16 , G01L9/08
Abstract: 本发明公开了一种多沟道GaN压力传感器件及其制备方法，包括由下至上依次设置的衬底、沟道结构层、设置于沟道结构层上的栅极以及位于沟道结构层两侧的源极和漏极；其中，沟道结构层由多层堆叠的GaN层和AlGaN势垒层构成，GaN层位于AlGaN势垒层下方。本发明通过多次进行AlGaN/GaN材料的堆叠构成多沟道压力传感器在微纳尺度方面，可以较大的提高相关性能参数，灵敏度高、可靠性强、检测限低。
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公开(公告)号：CN116153933A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310263055.0
申请日：2023-03-17
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8252
Abstract: 本发明公开了一种GaN基CMOS器件及其制备方法，包括衬底；缓冲层，缓冲层的下表面与所述衬底接触；外延层，由位于所述缓冲层上表面的PMOS区和NMOS区构成；以及，电极，包括在所述NMOS区设置的NMOS肖特基栅电极、NMOS欧姆电极以及在所述PMOS区设置的PMOS欧姆电极和PMOS肖特基栅电极；其中，所述NMOS肖特基栅电极和所述PMOS肖特基栅电极均为鳍状结构。本发明的GaN基CMOS器件，载流子迁移率大大提升，栅控能力更强，栅泄漏较小，具有更广的实用范围。
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